橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現(xiàn)有的JANS/JANSR[1]產(chǎn)品新增一系列經(jīng)過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產(chǎn)品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統(tǒng)，包括衛(wèi)星以及核物理(nuclear physics)和醫(yī)療應用。

　　意法半導體自1977年起開始為歐洲航天局(European Space Agency)提供半導體解決方案，在歐洲航天局成立后一直獲得該航天局的產(chǎn)品認證。意法半導體不斷改善抗輻射產(chǎn)品性能，目前推出的新產(chǎn)品就是一個典型實例。

　　JANS系統(tǒng)屬于意法半導體于2013年發(fā)布的歐洲空間元器件協(xié)調(diào)委員會(ESCC, European Space Components Coordination)項目的創(chuàng)新成果。新發(fā)布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率雙極晶體管，意法半導體對每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測試。此外，意法半導體還宣布其JANSR+產(chǎn)品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測試數(shù)據(jù)，展示其出色的抗輻射效應性能。

　　因此，意法半導體的JANSR+系列產(chǎn)品讓客戶有機會使用抗輻射性能優(yōu)異且配備所有相關(guān)測試數(shù)據(jù)的抗輻射產(chǎn)品?？蛻艨芍苯邮褂眠@些產(chǎn)品，無需任何額外的篩選成本和交貨周期，因此大幅提升了抗輻射產(chǎn)品的市場標準。

　　意法半導體事業(yè)部副總裁兼功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Mario Aleo表示：“意法半導體為歐洲航天工業(yè)提供抗輻射雙極晶體管的時間長達35年，我們的產(chǎn)品飛行時間累計超過數(shù)億個小時。我們專門調(diào)整的航天技術(shù)設計取得了同類最好的抗輻射性能，現(xiàn)在又獲得了DLA證書，美國客戶將受益于我們的無與倫比的耐輻射性能。”

　　所有產(chǎn)品都采用先進的密閉UB封裝，可立即提供樣品及開放大批量訂貨。

　　詳情請查詢網(wǎng)頁www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr

　　 技術(shù)說明

　　(1) 半導體器件的輻射效應與多個因素有關(guān)。對于雙極晶體管，總輻射劑量(總輻射劑量越大，輻射影響越大)和劑量速率(當總輻射劑量給定時，劑量速率越低，輻射影響越大)是兩個重要因素。低劑量速率特性對于衛(wèi)星至關(guān)重要，因為太空中的劑量速率很低(在10 mrad/s范圍內(nèi))。不過，標準JANSR認證只考慮高劑量速率，而高劑量速率既不是最惡劣的輻射情況，也不是半導體器件在空間中經(jīng)常遇到的輻照狀況。

　　輻射強化器件又稱抗輻射器件，按照航天局測試規(guī)范，抗輻射器件是在輻射環(huán)境中接受測試，以便讓設計人員知道產(chǎn)品能否成功耐受輻射，經(jīng)過輻射后器件能否達到預期性能?？馆椛淦骷菫槟褪茏類毫拥奶蛰椛洵h(huán)境而專門研制的半導體器件。吸收輻射劑量的測量單位為rad。意法半導體的產(chǎn)品在實際空間條件下輻射性能十分優(yōu)異，并配有支持其所聲稱的抗輻射性能的測試數(shù)據(jù)。

　　(2) 據(jù)文獻記載，業(yè)界公認全身輻照劑量達到10 krad將會導致死亡。JANSR規(guī)范保證抗輻射性能達到100 krad。

　　(3) JANSR+ 低劑量速率保證測試是對每顆晶圓進行10項測試(5個偏壓和5個不偏壓)。每件產(chǎn)品都配備輻射驗證測試(RVT)報告，包含在5種不同輻射程度時重要參數(shù)的漂移。

　　(4) 意法半導體的新抗輻射雙極晶體管的最大集電極-發(fā)射極電壓高達160V, 最大集電極電流高達5A,正向電流增益(hFE)高達450。