對大部份的應用而言，導通時所造成之導通損耗，仍占整體Power MOSFET損耗的大部份，因此各家廠商均致力于降低Power MOSFET之導通電阻。Power MOSFET的最低導通電阻從1996年的12mΩ降到2007年的2mΩ。目前，Super SO8封裝的OptiMOS？ Power MOSFET，最大額定導通電阻僅為1.6mΩ，如此低的導通電阻大幅地減少了導通損耗，提高了應用電路的功率密度。

　　如前述，柵極電荷為造成切換損耗及驅動損耗之主要成因。Super SO8封裝的OptiMOS？比OptiMOS？在相同的切換頻率下，有較低的柵極驅動損耗，使得驅動電路的負載降低約30%，降低了驅動器工作溫度。

　　2 高功率/低熱阻

　　由式（2）可知，Power MOSFET所能承受的最大功率損耗，是由Die的接觸面到外殼間的熱阻所決定，因此要達到高功率并減少導通電阻的目的，除了改良開發(fā)新的Power MOSFET或工藝技術外，封裝的方式亦扮演著重要的角色。Super SO-8的封裝相較于傳統(tǒng)之SO-8封裝，除了將Die直接連接到Leadframe大幅度減少熱阻外，采用Clip連接方式，減少在焊接點及接觸點的電阻外，進而減少等效導通電阻外和組件本身的寄生電感也是其特點。

　　為應對小型化或小功率電路的需求，Infineon Technologies另采用了全新的高性能Shrink Super SO8（S3O8）封裝（3mm×3mm）。如圖4所示，這將使轉換器系統(tǒng)設計中所需的MOSFET板面面積減小約60%。除了可用來開發(fā)小型DC/DC轉換器之外，還可用于提高特定標準尺寸電源的輸出功率。

　　圖4 SO-8、Super SO8與S308尺寸比較圖

　　效能測試

　　以下將以單相同步整流降壓轉換器，分別測試不同低壓Power MOSFET在不同切換頻率下的效率及溫升表現(xiàn)，驗證前述之論點，表1為效能測試條件。

　　以200kHz操作頻率進行測試，依據(jù)圖5，OptiMOS？的最高效率約可較OptiMOS？高0.4%，較同類產(chǎn)品1高1%，較同類產(chǎn)品2高5%；在圖6中，OptiMOS？的溫升，約可較OptiMOS？低2～3℃，較同類產(chǎn)品1低4～5℃，較同類產(chǎn)品2低9～10℃。

　　圖5 效率比較圖（faw＝200KHZ）

　　圖6 溫升比較圖（fsw＝200KHZ）

　　以400kHz操作頻率進行測試，依據(jù)測試結果，在圖7中，OptiMOS？的最高效率約可較OptiMOS？高0.8%，較同類產(chǎn)品1高2%，較同類產(chǎn)品2高7%；在圖8中，OptiMOS？的溫升，約可較OptiMOS？低2～3℃，較同類產(chǎn)品1低8～9℃，較同類產(chǎn)品2低20～25℃。

　　圖7 效率比較圖 fsw＝400KHZ

　　圖8 溫升比較圖 fsw＝400KHZ

　　結論

　　選用Power MOSFET，除了最大耐壓、最大電流能力及導通電阻外，尚有其他在實際應用時需要注意的參數(shù)，如傳導、柵極電荷、崩潰、溫度的影響。

　　在現(xiàn)今對電子產(chǎn)品節(jié)能及高效率的規(guī)格要求趨勢下，除新式轉換器的開發(fā)及使用外，使用高效能的功率半導體可以有效縮短這些相關產(chǎn)品的電源供應裝置的開發(fā)時程，并能輕易達到系統(tǒng)之規(guī)格需求。