該公司計劃于年底之前推出采用此項創(chuàng)新溝槽處理技術的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初幾款器件將于本季度推出，針對便攜和無線產品中的負載管理、電路充電、電池保護和直流-直流轉換等應用。接下來將推出面向計算機和汽車應用的高性能溝槽為本的器件。

安森美半導體副總裁兼集成電源產品總經理Ramesh Ramchandani說：“將更完善的芯片幾何學與安森美半導體的溝槽技術相結合，可發(fā)揮極佳的導通電阻特性——產生的直接效果是延長電池壽命、提升功率轉換性能并提高熱效率。當前市場上有廣泛的溝槽MOSFET可供選擇，而安森美半導體將憑借著采用先進溝槽處理技術的優(yōu)越器件進軍市場?！?/P>

尖端技術
安森美半導體獨有的溝槽處理技術實現了業(yè)界最高的通道密度，在給定的封裝占位面積下具有極佳的導通電阻（Rds(on)）性能。例如，安森美半導體將生產的ChipFET封裝（1.8 mm x 3.3 mm）8伏（V）P型通道和20伏P型通道產品的導通電阻分別為19毫歐（mOhms）和21毫歐。與目前相同封裝尺寸的產品相比，在4.5伏柵極電壓下這些電阻值平均改進了40%。而安森美半導體將推出的Micro-8LL（3.3 mm x 3.3 mm）、TSOP-6（3 mm x 3 mm）與SC-88（2.0 mm x 2.0 mm）封裝MOSFET的導通電阻也有相同比例的改進。

安森美半導體的首批溝槽半導體器件將于3月開始提供樣品。