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高性能插件式單路驅動電源——QA-(T)-R3S系列

—— 5000V隔離
作者: 時間:2025-06-13 來源:EEPW 收藏


本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202506/471353.htm

一、產品介紹

隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,推出了高性能的第三代QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。

該產品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等行業(yè)。

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二、產品優(yōu)勢

1) QA-R3S系列驅動電源產品

① 5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,優(yōu)于市場上常規(guī)產品,且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。

② 滿足1700V長期絕緣要求(適用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(局部放電)達到1700V,應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③ 高可靠性,耐受1000+次溫度沖擊

④ 多項性能指標提升

該系列驅動電源相較于友商類似產品,在整體性能上可做到與行業(yè)水平持平或更優(yōu)。

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2)QA_T-R3S系列驅動電源產品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,優(yōu)于市場上常規(guī)產品,且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。

②滿足2000V/2500V長期絕緣要求,6W產品原副邊間距>14mm

該系列2.4W產品基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(局部放電)達到2.5kV,應用范圍覆蓋2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;而6W產品長期絕緣電壓達到2kV,應用范圍覆蓋2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③貼片式封裝方式

該系列均采用SMD封裝方式,相比封裝,可有效節(jié)省空間、更靈活地在電路板上布局,并可提高產品生產的自動化程度和產品的防潮性能。

④高可靠性,耐受1000+次溫度沖擊

⑤多項性能指標提升

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三、典型應用

可應用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁、智能電網、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等多種場合。

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四、產品特點

1)QA-R3S系列

●   隔離電壓 5000VAC

●   滿足加強絕緣

●   CMTI>200kV/μs

●   超小隔離電容 3.5pF( typ.)

●   局部放電 1700V

●   效率高達 87%

●   工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

●   超小型SIP封裝

2)QA_T-R3S系列

●   隔離電壓 5000VAC

●   滿足加強絕緣

●   CMTI>200kV/μs  

●   超小隔離電容: 2.4W產品2.5pF(typ.);6W產品13pF(typ.)

●   局部放電 2.4W產品2.5kV;6W產品2kV

●   效率超過80%,(2.4W產品86%;6W產品81%)

●   潮敏等級(MSL) 1

●   AEC-Q100實驗中

●   擁有4項高新專利,方案完全自主可控

●   工作溫度范圍: -40℃ ~ +105℃



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