高性能插件式單路驅動電源——QA-(T)-R3S系列
一、產品介紹
隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
該產品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等行業(yè)。
二、產品優(yōu)勢
1) QA-R3S系列驅動電源產品
① 5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣
輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,優(yōu)于市場上常規(guī)產品,且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。
② 滿足1700V長期絕緣要求(適用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)
基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(局部放電)達到1700V,應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。
③ 高可靠性,耐受1000+次溫度沖擊
④ 多項性能指標提升
該系列驅動電源相較于友商類似產品,在整體性能上可做到與行業(yè)水平持平或更優(yōu)。
2)QA_T-R3S系列驅動電源產品
①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣
輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC,優(yōu)于市場上常規(guī)產品,且滿足加強絕緣設計要求,整體可靠性得到極大提升。
②滿足2000V/2500V長期絕緣要求,6W產品原副邊間距>14mm
該系列2.4W產品基于IEC-61800-5-1標準要求,實現長期絕緣電壓(局部放電)達到2.5kV,應用范圍覆蓋2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;而6W產品長期絕緣電壓達到2kV,應用范圍覆蓋2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。
③貼片式封裝方式
該系列均采用SMD封裝方式,相比插件式封裝,可有效節(jié)省空間、更靈活地在電路板上布局,并可提高產品生產的自動化程度和產品的防潮性能。
④高可靠性,耐受1000+次溫度沖擊
⑤多項性能指標提升
三、典型應用
可應用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁、智能電網、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等多種場合。
四、產品特點
1)QA-R3S系列
● 隔離電壓 5000VAC
● 滿足加強絕緣
● CMTI>200kV/μs
● 超小隔離電容 3.5pF( typ.)
● 局部放電 1700V
● 效率高達 87%
● 工作溫度范圍: -40℃ to +105℃
● 超小型SIP封裝
2)QA_T-R3S系列
● 隔離電壓 5000VAC
● 滿足加強絕緣
● CMTI>200kV/μs
● 超小隔離電容: 2.4W產品2.5pF(typ.);6W產品13pF(typ.)
● 局部放電 2.4W產品2.5kV;6W產品2kV
● 效率超過80%,(2.4W產品86%;6W產品81%)
● 潮敏等級(MSL) 1
● AEC-Q100實驗中
● 擁有4項高新專利,方案完全自主可控
● 工作溫度范圍: -40℃ ~ +105℃
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