近日，華中科技大學與湖北九峰山實驗室的研究團隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域取得重大進展，成功突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”技術(shù)。

在半導體制造環(huán)節(jié)，光刻膠是不可或缺的材料，其質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。當半導體制造節(jié)點進入到100nm甚至是10nm以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。

為此，華中科技大學與九峰山實驗室聯(lián)合研究團隊通過巧妙的化學結(jié)構(gòu)設(shè)計，以兩種光敏單元構(gòu)建“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標準差（SD）極?。s為0.05）、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

依托九峰山實驗室工藝平臺，該自主研發(fā)的光刻膠體系已完成產(chǎn)線初步工藝驗證，并同步完成了各項技術(shù)指標檢測優(yōu)化，成功打通從技術(shù)研發(fā)到產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的全流程。該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向，同時為EUV光刻膠的著力開發(fā)做技術(shù)儲備。