格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology^? （SST^?）近日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。

在實施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術方面，格芯確立了新的行業(yè)基準。該實施方案具有以下功能和優(yōu)勢：

●   成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案，僅增加了10個掩模，包括真正的5V IO CMOS器件

●   SST ESF3 位單元尺寸小于 0.05 平方微米，極具競爭力

●   工作溫度額定值為?40°C至125°C

●   讀取訪問時間為25 ns 、編程時間為10 us、擦除時間為4 ms

●   超過100,000次編程/擦除循環(huán)的耐用性

●   不影響使用GF 28SLPe平臺合格IP的設計流程（EG 流程）

●   可立即提供4 Mb至32 Mb 的現(xiàn)成宏程序

●   可從SST或GF獲得定制宏設計支持

隨著邊緣智能化水平的不斷提高，嵌入式閃存的用例也呈爆炸式增長。 在家庭和工業(yè)物聯(lián)網以及智能移動設備的廣泛應用中，用于安全代碼存儲、OTA更新和增強功能的嵌入式內存正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創(chuàng)新的平臺。

格芯首席業(yè)務部官員Mike Hogan表示：“格芯很榮幸能與SST合作，在我們強大的28SLPe平臺上開發(fā)、認證并投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。格芯的客戶發(fā)現(xiàn)，這款解決方案集高性能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身，非常適合先進的MCU、復雜的智能卡以及面向消費和工業(yè)產品的物聯(lián)網芯片?！?/p>

Microchip 授權業(yè)務部兼SST副總裁Mark Reiten表示：“過去十年，SST與格芯緊密合作，將SST的行業(yè)標準ESF1和ESF3 嵌入式閃存技術集成到格芯的130納米BCD、55 納米、40 納米以及當前的28 納米制程平臺并實現(xiàn)產品化。我們欽佩格芯在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位，期待雙方的緊密合作關系在未來十年帶來更多突破。”

在今天于慕尼黑舉行的格芯 GTS峰會期間，SST在IP合作伙伴區(qū)展出其嵌入式閃存技術。

警示聲明

本新聞稿中有關GF在實施SST廣泛部署的ESF3超級閃存技術方面建立了新的行業(yè)基準，以及GF正在建立最廣泛的嵌入式NVM解決方案，同時期待Microchip與GF的緊密合作關系在未來十年實現(xiàn)更多突破的表述，均為根據(jù)1995年《私人證券訴訟改革法案》的安全港條款做出的前瞻性表述。