熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 業(yè)界動態(tài) > 格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

作者: 時間:2022-10-19 來源:全球半導體觀察整理 收藏

據(jù)外媒《NBC》報道,近日,晶圓代工廠商格芯(GlobalFoundries)獲得3000萬美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202210/439313.htm

這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網(wǎng)等領域。格芯稱,電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導體帶來需求。

格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示,芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。

Caulfield在一份聲明中表示,“有了這筆新的聯(lián)邦資金,以及在2023年聯(lián)邦預算中可能獲得的進一步支持,GF完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領導者?!?br/>



關鍵詞: 格芯獲 GaN

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉