國產(chǎn)技術(shù)進步：長江存儲或跳過192層閃存 切入232層
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2016年成立的長江存儲，于2017年通過自主研發(fā)和國際合作的方式，設計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江存儲晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進到128層3D堆疊。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/202206/435167.htm在閃存領域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進程度的指標。DT報道稱，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。
根據(jù)此前韓國研究機構(gòu)OERI的一份報告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會量產(chǎn)超200層閃存，長江存儲則要到2024年，現(xiàn)在來看，它們低估了長江存儲的技術(shù)儲備。此前傳出長江存儲有望打入蘋果供應鏈，為iPhone等產(chǎn)品供貨閃存的說法，倘若最終實現(xiàn)，那么無疑將有著打破產(chǎn)業(yè)格局的動能。
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