東芝為基站和服務器推出30V電壓功率MOSFET
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實現(xiàn)最高級別低導通電阻性能和高速轉(zhuǎn)換
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/153076.htm
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了最高級別的低導通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
特性
1. 采用了第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了最高級別的低導通電阻
2. 實現(xiàn)了較低的內(nèi)部門極電阻和較低的門極電容比(Cgd/Cgs)，有助于預防自啟動現(xiàn)象
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