熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 宏力半導體發(fā)布先進的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

宏力半導體發(fā)布先進的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

作者: 時間:2010-01-14 來源:SEMI 收藏

  上海制造有限公司 (),專注于差異化技術的業(yè)領先企業(yè)之一,發(fā)布基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺的先進45V LDMOS制程。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/105079.htm

  與傳統(tǒng)線寬相比,0.18微米邏輯平臺使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能,從而可以適用于SoC和智能電源。成熟的0.18微米邏輯制程配備了具有高精準模型的完整設計工具包,極大地縮短了產(chǎn)品的設計周期,加速客戶產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外,該0.18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶選擇。

  通過優(yōu)化器件的布局、注入和熱處理過程等特定步驟減小了Rdson (導通電阻),45V NMOS 和 PMOS的導通電阻分別約為70 mOhm•mm2 和 160 mOhm•mm2。導通電阻的減小可以使電源芯片功率驅動部分的面積縮減10%~40%,客戶因此可以為應用提供更加有效的解決方案。

  除此以外,模塊化制程也更加靈活。1.8V的器件可以易于添加或者移除,可適用于客戶的特殊要求。除了標準的5V器件外,根據(jù)客戶的特定設計,3.3V也可以用來備選。其他諸如MiM,HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

  銷售市場及服務資深副總裁衛(wèi)彼得博士說:“宏力半導體最新發(fā)布的45V LDMOS是一個高性能的制程,可以為客戶提供一個低成本的解決方案,縮短產(chǎn)品上市時間。這個技術平臺針對目前快速發(fā)展的芯片市場,適用于尖端的LED驅動、馬達控制和電池管理。宏力半導體在汽車電子芯片領域已經(jīng)積累了多年的生產(chǎn)經(jīng)驗,我們相信這個先進的新制程也能夠滿足汽車電子嚴苛的要求。”



評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉