三星電子在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成為首家引入干式光刻膠（Dry PR）技術(shù)的公司。根據(jù)韓媒ETNews的報道，這項新技術(shù)將應(yīng)用于即將推出的第六代10納米級工藝（1c nm）。

干式光刻膠與傳統(tǒng)的濕式光刻膠相比，具有顯著優(yōu)勢。傳統(tǒng)濕式光刻膠需要使用溶劑進行旋涂和沖洗，而干式光刻膠則直接沉積在晶圓表面，避免了在去除光刻膠時液體表面張力對圖案完整性的影響。此外，干式光刻膠還提供了更高的曝光效率和更精細的線寬，極大地提升了圖案質(zhì)量。

三星電子計劃將這一新技術(shù)應(yīng)用于其HBM4產(chǎn)品的1c nm DRAM中，預(yù)計將顯著提高堆棧信號的完整性與可靠性。值得注意的是，泛林集團（Lam Research）早在今年1月29日就已宣布其干式光刻膠技術(shù)已被一家領(lǐng)先的存儲器制造商在最先進的DRAM工藝中成功導(dǎo)入。此舉標志著半導(dǎo)體制造技術(shù)的又一次重要進步，可能會對未來的存儲器產(chǎn)品產(chǎn)生深遠影響。