5月22日消息，綜合日經(jīng)新聞、路透社、《日經(jīng)xTECH》報(bào)導(dǎo)，日本芯片大廠瑞薩社長(zhǎng)兼CEO柴田英利于19日在線上舉行的戰(zhàn)略說(shuō)明會(huì)上表示，將自今年起開(kāi)始投資SiC功率半導(dǎo)體，目標(biāo)在2025年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。

據(jù)介紹，瑞薩將利用旗下目前已生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體的高崎工廠的6吋晶圓產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)，以應(yīng)對(duì)隨著電動(dòng)車(chē)（EV）普及，帶動(dòng)節(jié)能性能優(yōu)異的SiC功率半導(dǎo)體今后需求有望顯著增長(zhǎng)。瑞薩在去年11月就表明要進(jìn)軍SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，此次則是首度明確說(shuō)明投資戰(zhàn)略。

瑞薩目前采取的生產(chǎn)策略是先進(jìn)邏輯芯片等產(chǎn)品委外由晶圓代工廠生產(chǎn)，而易于采用自家技術(shù)的功率半導(dǎo)體則靠自家工廠生產(chǎn)。而除了SiC外，瑞薩也將對(duì)現(xiàn)行電動(dòng)車(chē)采用的硅制IGBT等功率半導(dǎo)體進(jìn)行積極投資，于2014年關(guān)閉的甲府工廠預(yù)計(jì)將在2024年上半年重新啟用，將生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體。

在SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上，瑞士ST Microelectronics、德國(guó)英飛凌（Infineon）、日本三菱電機(jī)等廠商也正致力于投資，瑞薩可說(shuō)是起步比較慢。

柴田英利表示，“在功率半導(dǎo)體上、我們起步非常慢。例如電動(dòng)汽車(chē)用IGBT現(xiàn)在的市占率預(yù)計(jì)為10%左右。但甲府工廠開(kāi)始生產(chǎn)的話，（市占率）將可增至2倍、3倍?！?/p>

柴田英利自信的表示，“客戶對(duì)瑞薩IGBT的評(píng)價(jià)非常高、會(huì)將這些評(píng)價(jià)延用至SiC事業(yè)上?，F(xiàn)在SiC市場(chǎng)仍小，但將來(lái)毫無(wú)疑問(wèn)的會(huì)變得非常大?？蛻魧?duì)瑞薩SiC產(chǎn)品的詢問(wèn)，即便是（尚未生產(chǎn)的）現(xiàn)在也非常強(qiáng)勁，2025年開(kāi)始生產(chǎn)的話，事業(yè)將可順利進(jìn)行?！?/p>

和硅制功率半導(dǎo)體相比，SiC功率半導(dǎo)體擁有更優(yōu)異的耐熱/耐壓性，電力耗損少，幫幫助電動(dòng)車(chē)提高續(xù)航距離，而除了電動(dòng)車(chē)外，來(lái)自蓄電池等再生能源領(lǐng)域的需求也看漲。