昨晚,拜登讓美國(guó)芯片法案正式生效!
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芯東西8月10日?qǐng)?bào)道,昨夜近23點(diǎn),美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署了價(jià)值2800億美元(折合約18906億人民幣)的《美國(guó)芯片和科學(xué)法案》,包含超520億美元(折合約3511億人民幣)對(duì)美國(guó)芯片行業(yè)的補(bǔ)貼。
▲美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署《美國(guó)芯片和科學(xué)法案》(圖源:白宮直播)
這個(gè)醞釀兩年之久的美國(guó)芯片政策大招,終于塵埃落定。對(duì)此,我國(guó)外交部發(fā)言人趙立堅(jiān)在7月28日例行記者會(huì)上已經(jīng)作出回應(yīng),所謂“芯片和科學(xué)法案”宣稱旨在提升美科技和芯片業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,但該法案包含一些限制中美正??萍己献鞯臈l款,中方對(duì)此表示堅(jiān)決反對(duì)。他說(shuō)道:“美國(guó)如何發(fā)展自己是美國(guó)自己的事,但不應(yīng)為中美正常的科技人文交流合作設(shè)置障礙,更不應(yīng)該剝奪和損害中方正當(dāng)?shù)陌l(fā)展權(quán)益。中美科技合作有利于雙方共同利益和人類共同進(jìn)步,搞限制“脫鉤”只會(huì)損人害己。同時(shí),中國(guó)堅(jiān)持把國(guó)家和民族發(fā)展放在自己力量的基點(diǎn)上,任何限制打壓都阻擋不了中國(guó)科技發(fā)展和產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的步伐?!?/strong>此次出席法案簽署儀式的成員包括美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技CEO桑賈伊·梅洛特拉、全球最大CPU供應(yīng)商英特爾CEO帕特·基辛格、老牌美國(guó)科技巨頭惠普CEO恩里克·洛雷斯、全球第二大CPU供應(yīng)商AMD掌門蘇姿豐和美國(guó)航空航天制造商洛克希德·馬丁CEO詹姆斯·泰克萊特,以及美國(guó)內(nèi)閣官員、汽車行業(yè)和工會(huì)領(lǐng)導(dǎo)人。01.提振美本土芯片投資行業(yè)分五次發(fā)放補(bǔ)貼
02.10年期限禁止獲補(bǔ)貼企業(yè)在華建廠
▲法案中關(guān)于禁止獲補(bǔ)貼公司在中國(guó)及其他相關(guān)國(guó)家增產(chǎn)的相關(guān)條例
法案中指出,為了禁止美國(guó)激勵(lì)資金的接受者,在某些特定國(guó)家擴(kuò)大或建設(shè)新的制造能力,會(huì)對(duì)美國(guó)本土半導(dǎo)體構(gòu)成威脅,因此該法案要求這些公司禁止在中國(guó)或者其他相關(guān)國(guó)家擴(kuò)張芯片相關(guān)的研發(fā),除生產(chǎn)成熟制程半導(dǎo)體的設(shè)施以外。違反這一規(guī)定的企業(yè),將有可能被要求全額退還補(bǔ)貼資金。▲法案中關(guān)于禁止獲補(bǔ)貼公司的相關(guān)條例
去年年底,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI預(yù)測(cè),2023年中國(guó)大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)能將占全球總產(chǎn)能的33%,排名第一,其次為日本、歐洲和中東地區(qū)、中國(guó)臺(tái)灣,分別為17%、16%、16%、11%。可以看出,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)在全球有著舉足輕重的作用。再加上,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售規(guī)模占全球30%以上,這也導(dǎo)致半導(dǎo)體領(lǐng)域是無(wú)法獨(dú)立于中國(guó)市場(chǎng)而發(fā)展的。在獲得補(bǔ)貼的公司中,目前只有中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電在中國(guó)大陸制造相對(duì)先進(jìn)制程的芯片,今年5月,臺(tái)積電還宣布了在南京工廠擴(kuò)產(chǎn)28nm工藝的計(jì)劃。此前,英特爾曾在大連建造了NAND閃存制造廠,2020年,該工廠及其SSD業(yè)務(wù)已經(jīng)被韓國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士宣布收購(gòu)。不過,《美國(guó)芯片和科技法案》并沒有對(duì)成熟制程和先進(jìn)制程芯片作出明確界定,因此,對(duì)于禁止相關(guān)企業(yè)在中國(guó)和其他特定國(guó)家建廠的要求仍然相對(duì)模糊。國(guó)內(nèi)廠商也在加快國(guó)產(chǎn)替代,加大國(guó)產(chǎn)芯片的研發(fā)力度,目前,國(guó)產(chǎn)廠商已經(jīng)在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)設(shè)備、清洗設(shè)備等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)28nm以上制程方面取得突破,在先進(jìn)制程上,仍落后于國(guó)際先進(jìn)水平。03.結(jié)語(yǔ):美國(guó)半導(dǎo)體政策落地恐不利行業(yè)發(fā)展
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