聯(lián)華電子為全球半導體晶圓專工業(yè)界的領(lǐng)導者，提供高質(zhì)量的晶圓制造服務(wù)，專注于邏輯及特殊技術(shù)，為跨越電子行業(yè)的各項主要應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片。聯(lián)電完整的制程技術(shù)及制造解決方案，包括邏輯/射頻、嵌入式高壓解決方案、嵌入式快閃存儲器、RFSOI/BCD，以及所有晶圓廠皆符合汽車業(yè)的 IATF-16949 制造認證。

　　聯(lián)電現(xiàn)共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，制程技術(shù)范圍由 5 微米至 0.11 微米，提供客戶多樣應(yīng)用的選擇，并可提供客制化制程，以因應(yīng)快速演進的市場，服務(wù)日益增加的半導體芯片需求。

　　聯(lián)電擁有4座營運中的先進12英寸晶圓廠。位于臺南的Fab 12A于2002年進入量產(chǎn)，目前已運用先進14及28納米制程為生產(chǎn)客戶產(chǎn)品，研發(fā)制造復合廠區(qū)由三個獨立的晶圓廠，P1＆2、P3＆4以及P5＆6廠區(qū)組成，月產(chǎn)能目前超過 87000片；位于新加坡白沙晶圓科技園區(qū)Fab 12i為聯(lián)電特殊技術(shù)中心，于12英寸特殊制程的生產(chǎn)制造上，提供客戶多樣化的應(yīng)用產(chǎn)品所需IC，目前月產(chǎn)能達50000片；位于中國廈門的聯(lián)芯FAB12X，已于2016年第4季度開始量產(chǎn)，其總設(shè)計月產(chǎn)能為 50000片，目前月產(chǎn)能接近20000片；位于日本三重縣USJC月產(chǎn)能33000片，提供最小至40納米的邏輯和特殊技術(shù)。除了12英寸廠外，聯(lián)電還擁有的七座8英寸廠與一座6英寸廠，每月總產(chǎn)能超過750000片約當8英寸晶圓。

　　開疆拓土

　　1980年5月22日，聯(lián)電（聯(lián)華電子；United Microelectronics Corporation；UMC）從臺灣工研院分拆成立，杜俊元出任第一任總經(jīng)理。作為臺灣首家民營集成電路公司，成立之初的聯(lián)電主要生產(chǎn)電子表、計算器與電視用集成電路（IC）。聯(lián)電也是臺灣第一家提供晶圓專業(yè)代工服務(wù)的公司。

　　1982年4月，聯(lián)電建成臺灣首條4英寸晶圓生產(chǎn)線（工廠代號UMC1）。

　　1982年11月，聯(lián)電達損益平衡，

　　1982年，聯(lián)電全年實現(xiàn)營收達新臺幣1.9億，員工380人。

　　1983年6月，聯(lián)電月銷售額首度突破新臺幣1億元。

　　1983年，聯(lián)電全年實現(xiàn)營收增至11億，員工610人。

　　1984年，聯(lián)電成立研發(fā)部門，自主進行產(chǎn)品和工藝的研發(fā)，走上良性成長階段。

　　1985年7月16日，聯(lián)電股****在臺灣證券交易所公開上市，代號：2303。

　　1989年，聯(lián)電6英寸晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)（工廠代號UMC2，現(xiàn)FAB 6）

　　1993年6月10日，聯(lián)電分拆知識產(chǎn)權(quán)（IP）和NRE部門成立智原科技（Faradry；1999年10月27日上市，代號：3035）。

　　1994年，聯(lián)電完成0.5微米制程研發(fā)。

　　艱難轉(zhuǎn)型

　　1995年7月，聯(lián)電轉(zhuǎn)型為純晶圓代工（Foundry）公司。

　　1995年7月，聯(lián)電和Alliance、S3合作成立聯(lián)誠半導體（United Semiconductor Corp.，USC），是現(xiàn)在的FAB 8B廠。

　　1995年8月，聯(lián)電與Trident、ATi、ISSI等七家公司合作成立聯(lián)瑞科技（United Integrated Circuits Corporation，UICC），是現(xiàn)在的FAB 8D廠。

　　1995年9月，聯(lián)電和兩家IC設(shè)計公司合作成立聯(lián)嘉積體電路（United Silicon Incorporated Corp.，USIC），是現(xiàn)在的FAB 8C廠。

　　1995年9月，聯(lián)電8英寸晶圓廠（原UMC3，現(xiàn)在FAB 8A）開始生產(chǎn)。

　　1996年1月，聯(lián)電0.35微米制程開始生產(chǎn)（聯(lián)嘉二廠）。

　　1996年5月29日，聯(lián)電將計算機事業(yè)部門分拆成立聯(lián)陽半導體（ITE；2002年10月24日上市，代號：3014）。聯(lián)陽早期專注于臺式電腦（PC）及筆記型電腦（NB）控制芯片的開發(fā)設(shè)計，后并購聯(lián)盛半導體、繪展科技、晶瀚科技，使得公司擴充了快閃存儲器控制芯片、數(shù)字電視接收控制芯片、多媒體控制芯片以及模擬芯片等新的產(chǎn)品線。

　　1996年8月16日，聯(lián)電將通訊事業(yè)部門分拆成立聯(lián)杰國際（DAVICOM Semiconductor；2007年8月6日上市，代號：3094）。

　　1997年5月28日，聯(lián)電將多媒體事業(yè)部門分拆成立聯(lián)發(fā)科技（MediaTek；2001年7月23日上市，代號：2454），包括蔡明介在內(nèi)的20多人的初始團隊從CD-ROM芯片開始出發(fā)。

　　1997年5月28日，聯(lián)電將消費性部門分拆成立聯(lián)詠科技（Novatek；2001年4月24日上市，代號：3034）。

　　1997年7月，聯(lián)電將內(nèi)存事業(yè)部門分拆成立聯(lián)笙電子（AMIC）。

　　1997年10月，聯(lián)電0.25微米制程開始生產(chǎn)。

　　1998年4月，聯(lián)電收購合泰半導體（現(xiàn)盛群半導體，Holtek）的8英寸晶圓廠（現(xiàn)FAB 8E）。

　　1998年5月，聯(lián)電UMC5（現(xiàn)FAB 8F）動工興建。

　　1998年12月，聯(lián)電收購新日鐵半導體（1999年中文名稱更名為聯(lián)日半導體株式會社，2001英文名稱更名為 UMC Japan），成為日本唯一少量多樣生產(chǎn)模式的晶圓代工廠。

　　1999年1月，聯(lián)電單月營收首度超過新臺幣20億。

　　1999年3月，聯(lián)電0.18微米制程開始生產(chǎn)。

　　1999年11月，聯(lián)電南科12英寸晶圓廠正式建廠。

　　世紀曙光

　　2000 年1月3日，聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉、合泰等合并成立聯(lián)電集團；張崇德、溫清章就任總經(jīng)理。

　　2000年1月，聯(lián)電集團單月營收首度超過新臺幣60億。

　　2000 年3月27日，聯(lián)電宣布產(chǎn)出業(yè)界首批銅制程芯片，首個芯片是賽靈思（Xilinx）的FPGA產(chǎn)品。

　　2000 年5月12日，聯(lián)電宣布產(chǎn)出第一顆 0.13微米制程芯片，產(chǎn)品是2M SRAM。

　　2000 年9月19日，聯(lián)電在紐約證券交易所發(fā)行9000萬單位存托憑證（代碼：UMC），成為第一家在紐交所上市的臺灣半導體公司。共募集13億美元，創(chuàng)下臺灣公司在紐約證券交易所首度上市的交易金額紀錄。

　　2000年10月27日，聯(lián)電FAB 12A廠舉行上梁典禮，預定2001年Q3投產(chǎn)。

　　2000年12月1日，聯(lián)電和日立合資的Trecenti的12英寸晶圓廠成功產(chǎn)出全球第一批12英寸代工晶圓。首批產(chǎn)品是0.18微米制程的4M和8M SRAM。

　　2000 年12月15日，聯(lián)電宣布投資36億美元和英飛凌于新加坡合資籌建12英寸晶圓制造廠（UMCi）。

　　2000年，聯(lián)電全年營收首度超過新臺幣1000億。

　　2001年4月12日，聯(lián)電旗下新加坡12英寸晶圓廠動工。

　　2002年4月1日，聯(lián)電宣布宣明智接替曹興誠擔任首席執(zhí)行官。

　　2002年2月，聯(lián)電退出和日立合資的Trecenti。

　　2003年1月，聯(lián)電新加坡12英寸晶圓廠進行裝機。

　　2003年3月，聯(lián)電產(chǎn)出第一顆90納米制程IC。

　　2003年7月15日，聯(lián)電宣布胡國強博士接替宣明智先生擔任首席執(zhí)行官。

　　2004年3月，聯(lián)電旗下新加坡12英寸晶圓廠邁入量產(chǎn)階段。

　　2004年5月，聯(lián)電90納米制程完全通過驗證并邁入量產(chǎn)。

　　2004年6月，聯(lián)電單月營收首度超過新臺幣100億

　　。

　　2004年7月，聯(lián)電并購硅統(tǒng)半導體的8英寸晶圓制造廠，是現(xiàn)在的FAB 8S廠。

　　2004年12月，聯(lián)電正式收購旗下子公司UMCi，并改名為 Fab 12i。

　　2005年6月，聯(lián)電產(chǎn)出業(yè)界第一顆 65納米芯片。

　　2005年8月，聯(lián)電90納米晶圓出貨量逾10萬片。

　　2006年6月，聯(lián)電成為全球第一家全公司所有廠區(qū)均完成QC-080000 IECQ HSPM認證之半導體制造商。

　　2006年11月，聯(lián)電產(chǎn)出第一顆45納米制程測試芯片。

　　2007年1月，聯(lián)電擴大位于臺南科學園區(qū)的生產(chǎn)研發(fā)基地。

　　2007年5月22日，聯(lián)電位于臺南的新研發(fā)大樓建成。

　　2007年8月17日，聯(lián)電設(shè)立首設(shè)COO陪伴，由孫世偉副總裁兼任。負責12英寸晶圓廠的營運。

　　2008年7月16日，聯(lián)電宣布洪嘉聰為新任董事長，任命孫世偉為執(zhí)行長。

　　2008年10月，聯(lián)電產(chǎn)出晶圓代工業(yè)界第一個28納米制程SRAM芯片。

　　2009年4月，聯(lián)電產(chǎn)出40納米芯片。

　　2009年12月，聯(lián)電正式收購日本子公司UMCJ。

　　2010年12月，聯(lián)電南科12A廠第三期進入量產(chǎn)。

　　2011年10月，聯(lián)電28納米制程進入試產(chǎn)。

　　2012年5月24日，聯(lián)電南科12A廠第五第六期廠房動土典禮。

　　2012年11月，聯(lián)電宣布顏博文接替孫世偉擔任首席執(zhí)行長。

　　2013年3月，聯(lián)電完成收購和艦科技，是現(xiàn)在的FAB 8N廠。

　　2013年5月，聯(lián)電打造Fab12i廠為特殊技術(shù)中心（Specialty Technology Center of Excellence）。

　　2014年8月，聯(lián)電入股富士通旗下新晶圓代工子公司三重富士通半導體。

　　2014年10月9日，聯(lián)電與廈門市政府及福建省電子信息集團成立合資公司聯(lián)芯集成，運營12英寸晶圓代工業(yè)務(wù)，項目總投資預計達62億美元，設(shè)計規(guī)劃最大月產(chǎn)能為12英寸晶圓5萬片。

　　2015年3月26日，聯(lián)電旗下廈門聯(lián)芯集成12英寸生產(chǎn)廠房動土典禮。

　　2016年11月16日，聯(lián)電旗下廈門聯(lián)芯集成FAB 12X廠進入量產(chǎn)。

　　2017年2月23日，聯(lián)電14納米工藝進入量產(chǎn)。

　　2017年5月22日，聯(lián)電旗下廈門聯(lián)芯28納米正式量產(chǎn)出貨。

　　2017年6月14日，顏博文辭任首席執(zhí)行長職位，由王石、簡山杰擔任共同總經(jīng)理，王石主外掌管市場，簡山杰對內(nèi)掌控技術(shù)、研發(fā)。

　　2018年6月，聯(lián)電董事會通過購買與富士通合資公司的全部股權(quán)。

　　2018年7月，聯(lián)電單月營收創(chuàng)歷史最高，營收高達新臺幣143億。

　　2019年7月21日，聯(lián)電撤銷子公司和艦芯片原訂赴中國大陸科創(chuàng)板上市計劃。

　　2019年10月，聯(lián)電完成收購富士通旗下三重富士通半導體，成為100%完全獨資的子公司，更名為United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC)。

　　2020年7月，聯(lián)電7月營收再創(chuàng)歷史新高，營收高達新臺幣154.95億元。