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三星將在平澤P2廠建設10nm第七代DRAM試驗線
- 三星電子將在平澤二廠（P2）建設一條10nm第七代DRAM（1d DRAM）試驗線，以加強其競爭地位并提高新一代產(chǎn)品的良率。據(jù)報道，三星計劃于2024年第四季度開始建設1d DRAM試驗線，預計于2025年第一季度完工。雖然這條1d DRAM生產(chǎn)線具體生產(chǎn)規(guī)模的細節(jié)尚不清楚，但業(yè)內(nèi)估計，試驗線的月產(chǎn)能通常約為10000片晶圓。三星計劃于2025年開始量產(chǎn)1c DRAM，隨后于2026年開始量產(chǎn)1d DRAM。該公司在為1c DRAM量產(chǎn)做準備的同時建立這條試驗線的決定反映出其積極的發(fā)展戰(zhàn)略。業(yè)內(nèi)人士稱，新
- 關鍵字： 三星 10nm 第七代DRAM
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