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super junction mosfet 文章 最新資訊

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

  • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率器件  

基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

  • 摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動電路的設(shè)計，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高設(shè)計的可靠性。
    關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點；損耗

    功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  急聚點  損耗  

關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

  • L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動電阻  

分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進步

  • 要點1.導通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠未到...
  • 關(guān)鍵字： 晶圓減薄  MOSFET  

Vishay發(fā)布2013年“Super 12”明星產(chǎn)品

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布推出2013年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導體和無源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，為設(shè)計工程師提供接觸業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格的捷徑，以及從中管窺Vishay非常廣泛的產(chǎn)品組合。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  Super  

Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設(shè)計靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  DrMOS  

HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

  • 摘要： 先進的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  鎮(zhèn)流器  FRFET  201302  

IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動IC

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動IC。新產(chǎn)品具有全面保護和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應用提供更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： IR  驅(qū)動IC  AUIR3200S  MOSFET  

用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計更綠色、更小的電源

  • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設(shè)計，同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
  • 關(guān)鍵字： TrenchFET  MOSFET  DC/DC  

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

  • MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
  • 關(guān)鍵字： mosfet  場效應管    

通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)

  • PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個主要的組成部分：用于實施系統(tǒng)管理任務和控制算法的控制器，以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路?？刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結(jié)構(gòu)以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細地分析每個組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
  • 關(guān)鍵字： PV系統(tǒng)  逆變器  MOSFET  光伏逆變器  

采用具有最新超級結(jié)MOSFET的高功率因數(shù)反激式轉(zhuǎn)換器的LED照明解決方案

  • 隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行，成本結(jié)構(gòu)已成為關(guān)鍵因素。簡單的反激式轉(zhuǎn)換器是實現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而，LED照明的開關(guān)電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應對這一挑戰(zhàn)，采用最新的功率器件至關(guān)重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級結(jié)MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： LED  MOSFET  DCM  

討論在PFC中應用的新型超級結(jié)MOSFET器件的特點

  • 超級結(jié)（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù)，在減少導通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通...
  • 關(guān)鍵字： PFC  MOSFET  

功率元器件應用秘訣，采用專用MOSFET提高效率

  • 新的MOSFET將瞄準多個市場，包括直流對直流（DC-DC）、離線交流對直流（AC-DC）、電機控制、不斷電系統(tǒng)（UPS）、太陽能逆 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率元器件  MOSFET  效率  
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super junction mosfet介紹

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