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用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源

  • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計，同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
  • 關鍵字： TrenchFET  MOSFET  DC/DC  

Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  PowerPAK  TrenchFET  

Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  

Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。 　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  TrenchFET  
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