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e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)熱情

  • 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟 新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識(shí)，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場(chǎng)應(yīng)用。本冊(cè)電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
  • 關(guān)鍵字： TTS  STT  AIoT  CNN  RNN  GAN  

MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
  • 關(guān)鍵字： MRAM  DRAM  

MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

  • 　　據(jù)報(bào)道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)?！　∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨?！　∵@種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

  • 　　在第 64 屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?！　RAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))，是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入?！　∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  MRAM  

聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品

  • 　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司?！　÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應(yīng)用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費(fèi)型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
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嵌入式存儲(chǔ)器的過去與現(xiàn)在

  • 近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式存儲(chǔ)器  MRAM  eRRAM  物聯(lián)網(wǎng)  

使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能

  • 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?！　?yīng)用材料公司為實(shí)現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，包括基于Endura? 平臺(tái)上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設(shè)施來加工并測(cè)試器件陣列，我們驗(yàn)證了 STT MRAM 的性能和可擴(kuò)展性?！　∪缃瘢诉?/li>
  • 關(guān)鍵字： STT  MRAM  

新式儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛嗎？

  • 　　MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲(chǔ)器專有技術(shù)，據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎?　　磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù)，據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
  • 關(guān)鍵字： MRAM  SRAM  

如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲(chǔ)器

  • 　　汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽?、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途?！　∧壳笆袌?chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)，MRAM
  • 關(guān)鍵字： MRAM  FRAM  

基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究

  • 　　摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進(jìn)行全空間讀寫測(cè)試。另外，針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如T
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全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

  • 　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 　　據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
  • 關(guān)鍵字： MRAM  晶圓  

迎接嵌入式存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

  • 　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 　　據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  MRAM  

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來前景。 　　或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
  • 關(guān)鍵字： MRAM  DRAM  

DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向

  • 　　MRAM是新興的存儲(chǔ)器，為晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲(chǔ)器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。 　　MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設(shè)備，最近新機(jī)型的濺鍍?cè)O(shè)備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM

  • 　　晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。 　　臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成日前在臺(tái)積電技術(shù)論壇，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
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