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spi nor flash 文章 最新資訊

基于CCS的DSP片外Flash直接燒寫設(shè)計

  • 要可靠啟動DSP系統(tǒng)中用戶代碼，關(guān)鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡單、容易理解的直接燒寫方法。通過恰當(dāng)設(shè)置COFF代碼段，保存運行地址必需的DATA，以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗板，對Flash燒寫上電加載后，DSP能夠正確、穩(wěn)定的運行。給出了直接燒寫方法，操作簡便，容易掌握，為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
  • 關(guān)鍵字： Flash  CCS  DSP  燒寫    

加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

  • 　　全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布，該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同，正式投資落戶上海。今天上午，恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址，并拜會了外高橋保稅區(qū)管委會主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂，共同見證了這一重要歷史時刻。 　　恒憶正式成立于2008年3月，是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè)，擁有技術(shù)
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  NOR  NAND  RAM  PCM  

基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動程序設(shè)計

  • 0 引 言
    目前，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，計算機技術(shù)也得到飛速的發(fā)展，產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計算機的基本結(jié)構(gòu)來說，還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個中心點就是存儲一控制，所以存儲器
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一種通用SPI總線接口的FPGA設(shè)計與實現(xiàn)

  • 一、引言
    SPI串行通信接口是一種常用的標(biāo)準(zhǔn)接口，由于其使用簡單方便且節(jié)省系統(tǒng)資源，很多芯片都支持該接口，應(yīng)用相當(dāng)廣泛。SPI接口的擴展有硬件和軟件兩種方法, 軟件模擬 SPI接口方法雖然簡單方便, 但是速度受到限
  • 關(guān)鍵字： FPGA  SPI  總線接口    

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲

  • 基于FPGA的高速大容量FLASH存儲,1、引言
    數(shù)字電路應(yīng)用越來越廣泛，傳統(tǒng)通用的數(shù)字集成芯片已經(jīng)難以滿足系統(tǒng)的功能要求，隨著系統(tǒng)復(fù)雜程度的提高，所需通用集成電路的數(shù)量呈爆炸性增值，使得電路的體積膨大，可靠性難以保證 [1]。因而出現(xiàn)了現(xiàn)場可編
  • 關(guān)鍵字： FLASH  存儲  大容量  高速  FPGA  基于  

Maxim推出用于汽車的24通道開關(guān)觸點監(jiān)測器

  • 　　Maxim推出用于汽車開關(guān)的24通道開關(guān)觸點監(jiān)測器MAX13362。器件采用單片微控制器監(jiān)測多達(dá)24路遍布整個汽車的機械開關(guān)，省去了多個遠(yuǎn)端微控制器的花費。MAX13362能在高壓(最高27V)和電池反接情況下保護(hù)低壓電路，非常適合監(jiān)測工作環(huán)境惡劣的遠(yuǎn)端機械開關(guān)。器件還提供3種工作模式(連續(xù)、輪詢和關(guān)斷)，以優(yōu)化功耗。MAX13362理想用于車體控制器和車門模塊。 　　器件的SPI?接口提供多種編程選項。用戶可以配置輪詢周期和輪詢運行時間，以節(jié)省監(jiān)測操作間的功耗。還可設(shè)置濕電流、中斷
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R8C/1B單片機的Flash編程/擦除掛起功能

  • 　　Flash存儲器已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。但是在對Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過程中，如果單片機需要處理一些緊急的情況(如中斷、數(shù)據(jù)存儲等等)，就需要暫停相對比較消耗時間的Flash編程/擦寫過程，優(yōu)先處理這些緊急情況。這對Flash存儲器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。 　　瑞薩公司推出的R8C/1B單片機采用改進(jìn)的Flash存儲器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時間，使其能夠更加及時地響應(yīng)中斷或進(jìn)行其他操作。 　　Flash編程/擦除掛起功能 　　所謂掛起功能，是
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  R8C  Flash  

基于SoPC目標(biāo)板Flash編程設(shè)計的創(chuàng)建及應(yīng)用

  • 隨著EDA(電子設(shè)計自動化)技術(shù)的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計提供了一種簡單、靈活、高效的途徑。基于NiosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設(shè)計中，幾乎所有的應(yīng)用設(shè)計都需要使用Flash存儲器，而Flash的編程必需相應(yīng)的目標(biāo)板Flash編程設(shè)計支持。結(jié)合實際應(yīng)用詳細(xì)論述了目標(biāo)板Flash編程設(shè)計的創(chuàng)建及應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Flash  SoPC  編程    

FLASH存儲器的測試方法研究

  • 1．引言 隨著當(dāng)前移動存儲技術(shù)的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，F(xiàn)LASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)、
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ARM與TLV5637的模擬SPI接口設(shè)計

  • ARM與TLV5637的模擬SPI接口設(shè)計, 摘 要 在對SPI接口協(xié)議進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，提出了利用ARM的GPIO口來模擬SPI接口的通用實現(xiàn)方法。根據(jù)串行D／A芯片TLV5637的時序特性和操作要求，利用模擬的SPI接口方法，實現(xiàn)了對TLV5637的訪問。
    關(guān)鍵詞 模擬SPI AR
  • 關(guān)鍵字： 接口  設(shè)計  SPI  模擬  TLV5637  ARM  

Maxim推出4通道、同時采樣、24位ADC

  • 　　Maxim推出4通道、24位、同時采樣ADC MAX11040?？蓪⒍噙_(dá)8片MAX11040采用菊鏈連接，實現(xiàn)32通道同時采樣，極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計。MAX11040采用獨特的可級聯(lián)SPI™/QSPI™/MICROWIRE™接口實現(xiàn)了上述的多通道可測量特性，省去了通過獨立片選輸入控制每個ADC的復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)。由于可用單個片選輸入控制所有8個MAX11040，所以無論采用4通道或是32通道，對主處理器來說控制邏輯是相同的。 　　MAX11040通過0至333&m
  • 關(guān)鍵字： Maxim  ADC  MAX11040  SPI  QSPI  MICROWIRE  

恒憶與三星合作的生意經(jīng)

  • 　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場規(guī)格，兩大存儲器廠商的攜手再次印證了“商場上沒有永遠(yuǎn)的對手”。 　　韓國三星電子稱霸存儲器行業(yè)已有多時，其DRAM市場近30%、閃存市場近40%的份額長期無可撼動。而恒憶作為存儲器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過一年左右的時間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM，并利
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  PCM  DRAM  RAM  NOR  

恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

  • 　　恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn)，將有效簡化設(shè)計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 　　相較于
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  NAND  NOR  PCM  SDRAM  

三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

  • 　　6月24日消息,三星電子和Numonyx表示，雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。 　　三星電子和Numonyx表示，雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范，該技術(shù)有望用于高級聽筒、移動電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱，PCM讀寫速度非常快，但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。   　　三星電子和Numonyx還表示，雙方的通用規(guī)范將于今年完成，預(yù)計明年將推出兼容設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  NOR  PCM  相變化記憶體  
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spi nor flash介紹

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