spi nor flash 文章最新資訊

基于UART＆SPI的接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：隨著WLAN(無線局域網(wǎng))的普及，各種接口的WLAN網(wǎng)卡層出不窮，像UART，SPI，USB等。為了驗(yàn)證接口的功能、性能和兼容性是否符合需求，在此提出了一種支持UART&SPI接口的驗(yàn)證工具。傳統(tǒng)的接口驗(yàn)證采用手動(dòng)驗(yàn)證的方法，即手動(dòng)修改UART接口的波特率或SPI接口的大小端等來達(dá)到遍歷所有用例的目的，傳統(tǒng)方法存在效率低，容易漏測(cè)測(cè)試用例等缺陷。而該工具通過命令通道完成上位機(jī)和下位機(jī)的協(xié)商，保持接口參數(shù)同步;數(shù)據(jù)通道驗(yàn)證在該接口參數(shù)下的功能和性能，實(shí)現(xiàn)了接口的功能和性能驗(yàn)證的自動(dòng)化，大大提高
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基于SOC的SPI接口設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

摘要：給出了一個(gè)可用于SoC設(shè)計(jì)的SPI接口IP核的RTL設(shè)計(jì)與功能仿真。采用AMBA 2.0總線標(biāo)準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)SPI接口在外部設(shè)備和內(nèi)部系統(tǒng)之間進(jìn)行通信，在數(shù)據(jù)傳輸部分，摒棄傳統(tǒng)的需要一個(gè)專門的移位傳輸寄存器實(shí)現(xiàn)串/并轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)方法，采用復(fù)用寄存器的方法，把移位傳輸寄存器和發(fā)送寄存器結(jié)合在一起，提高了傳輸速度，也節(jié)約了硬件資源。采用SoC驗(yàn)證平臺(tái)進(jìn)行SoC環(huán)境下對(duì)IP的驗(yàn)證，在100 MHz時(shí)鐘頻率下的仿真和驗(yàn)證結(jié)果表明，SPI接口實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸，且滿足時(shí)序設(shè)計(jì)要求。 0 引言 SPI(Serial P
關(guān)鍵字： SOC SPI

高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

　　不久前，Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口?！　×硗猓琒pansion還推出了首個(gè)基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件，其讀取吞吐量可達(dá)333MB/s，比當(dāng)今市場(chǎng)上可見速度最快的四SPI的5倍還快，引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3。　　據(jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
關(guān)鍵字： HyperBus NOR GUI ADAS 201402

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機(jī) Flash 擦寫壽命

武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)，是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日，武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NOR NAND 201401

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”，“我要學(xué)單片機(jī)”，“如何入門啊?”，“你們?cè)趺催@么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實(shí)在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機(jī) LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)

　　12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”。會(huì)議期間，受邀采訪到來自武漢新芯董事長(zhǎng)兼總裁王繼增先生。　　據(jù)了解，武漢新芯集成電路制造有限公司是建國(guó)以來湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項(xiàng)目，是國(guó)家認(rèn)定的首批重點(diǎn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存
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Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)日前宣布推出一個(gè)新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。為了滿足汽車儀表板與工業(yè)人機(jī)交互界面等多圖像應(yīng)用的需求，該產(chǎn)品家族具備業(yè)內(nèi)最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。
關(guān)鍵字： Spansion 嵌入式 SPI DDR