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spi nor flash 文章 最新資訊

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展,對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
  • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因

  • 錫膏印刷在無(wú)鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,為印刷過(guò)程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點(diǎn)的相關(guān)問(wèn)題,根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對(duì)無(wú)鉛對(duì)生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
  • 關(guān)鍵字: SPI  無(wú)鉛  缺陷  制造    

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

  •   被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進(jìn)行有效的利用,從而滿足我們的應(yīng)用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí),不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤,這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
  • 關(guān)鍵字: Nand Flash  寄存器  

基于數(shù)字電位計(jì)的X射線探測(cè)器偏壓調(diào)節(jié)

  • 針對(duì)某X射線探測(cè)器輸出信號(hào)增益需不斷調(diào)節(jié)以滿足后續(xù)信號(hào)采集電路的輸入范圍,其偏置電壓需要精細(xì)調(diào)節(jié),文章采用數(shù)字電位計(jì)和FPGA設(shè)計(jì)了X射線探測(cè)器偏置電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。闡述了所選數(shù)字電位計(jì)的參數(shù)、特點(diǎn)及內(nèi)部結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。文章中FPGA采用SPI通信方式對(duì)數(shù)字電位計(jì)進(jìn)行配置實(shí)現(xiàn)電阻100KΩ共256檔的調(diào)節(jié),最終給出實(shí)際測(cè)試結(jié)果,驗(yàn)證了采用數(shù)字電位計(jì)實(shí)現(xiàn)偏壓調(diào)節(jié)的靈活性。
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STM32再學(xué)習(xí) -- 工程師眼中的SPI

  • 前些天,有位網(wǎng)友談到通過(guò)FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)SPI通訊。通過(guò)帖子的回復(fù)發(fā)現(xiàn)好多網(wǎng)友對(duì)SPI通訊還有些疑惑,于是今天就帶著大家從SPI的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,SPI在STM32單片機(jī)上的配置及在74HC595邏輯芯片通訊的實(shí)例來(lái)全方面認(rèn)識(shí)一下這個(gè)既
  • 關(guān)鍵字: STM32    SPI  

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
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關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲(chǔ)器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器,而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
  • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  flash  eeprom  

NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page),64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block),4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
  • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  扇區(qū)管理  

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: JEDEC  Flash  JESD    

一種UART&SPI接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 一種UART&SPI接口驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),摘要:隨著WLAN(無(wú)線局域網(wǎng))的普及,各種接口的WLAN網(wǎng)卡層出不窮,像UART,SPI,USB等。為了驗(yàn)證接口的功能、性能和兼容性是否符合需求,在此提出了一種支持UARTSPI接口的驗(yàn)證工具。傳統(tǒng)的接口驗(yàn)證采用手動(dòng)驗(yàn)證的方
  • 關(guān)鍵字: UART  SPI  接口驗(yàn)證  自動(dòng)化  

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要 為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對(duì)外部ROM的引導(dǎo)方式,以及一種無(wú)需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過(guò)數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例,同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
  • 關(guān)鍵字: DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驅(qū)動(dòng)

  •   所有的FLASHA 都一樣只能從1變0,要想從0變1 只有擦除一個(gè)頁(yè)扇, SST25VF080B 最小可以擦除4KB的頁(yè) 速度也不錯(cuò) 50MHz 容量1MB 挺夠用的 10萬(wàn)次的擦寫壽命。最低2.7V 就可正常工作。   Flexible Erase Capability   – Uniform 4 KByte sectors   – Uniform 32 KByte overlay blocks   – Uniform 64 KByte overlay b
  • 關(guān)鍵字: STM32  SPI  

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
  • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我
  • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

  • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
  • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計(jì)  FlaSh  DSP  
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spi nor flash介紹

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