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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sk 海力士

SK Hynix 其實想和紫光合作，擬專利授權(quán)

  • 　　南韓記憶體大廠SKHynix雖一口回絕了紫光集團(tuán)(TsinghuaUnigroup)共組合資企業(yè)的提議，但商場沒有永遠(yuǎn)敵人，韓媒傳出在競爭日益激烈的環(huán)境下，SKHynix有意與紫光簽立專利授權(quán)協(xié)議，希望能降低一些市場風(fēng)險。 　　韓國時報29日報導(dǎo)，駐扎首爾的數(shù)名歐美投資銀行基金經(jīng)理人直指，SKHynix其實很想(morethaninterested)和紫光合作、分享記憶體晶片專利科技，未來或許會和紫光就公司市占較低的快閃記憶體簽訂廣泛的專利授權(quán)合約，因為紫光的生產(chǎn)成本更為低廉。根據(jù)經(jīng)理人的說法，中國
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紫光入股韓國海力士半導(dǎo)體遭拒

  • 　　北京時間11月27日下午消息，韓國芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團(tuán)的合作要約，但并未提供詳細(xì)信息。 最近有媒體報道稱，紫光集團(tuán)計劃收購海力士最多20%的股權(quán)。但該發(fā)言人拒絕對此置評。 紫光集團(tuán)發(fā)言人稱，該公司尚未留意相關(guān)事項。 　　   　　SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。 　　紫光集團(tuán)今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團(tuán)，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項交易。
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SK集團(tuán)跨足半導(dǎo)體材料 斥資4.1億美元收購OCI Materials

  • 　　SK控股(SKHoldings)于23日召開理事會，決定收購49.1%的OCIMaterials股權(quán)，以每股9.3萬韓元(約80美元)收購價來看，估計SK控股以4,816億韓元(約4.1億美元)代價入主OCIMaterials，SK集團(tuán)(SKGroup)也正式進(jìn)軍半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。 　　根據(jù)韓媒MoneyToday的報導(dǎo)，SK集團(tuán)(SKGroup)24日對外宣布，SK控股已于23日召開理事會，決定出資4.1億美元，收購49.1%的OCIMaterials股權(quán)，該股權(quán)的原本持有者為韓國OCI。據(jù)了解，這
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紫光欲借道SK海力士進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域

  • 清華紫光在政策助力下，一年來動作頻頻，大舉并購相關(guān)半導(dǎo)體廠商外，也不斷對臺灣放話，最新消息是在南亞科前總經(jīng)理高啟全的牽線下，紫光正與 SK Hynix 洽談合作的可能，想藉此切入 NAND Flash 市場。
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DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低

  • 　　動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價。 　　DRAM市場庫存問題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價。 　　第4季來DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 　　南亞科預(yù)期，DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。 　　只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場已
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鴻海、SK 合作升級

  • 　　郭崔會即將登場，據(jù)SK集團(tuán)透露，SK集團(tuán)會長崔泰源即將來臺與鴻海董事長郭臺銘相見歡，且時間就在9月初，外界揣測透過此次會面，雙方將會在業(yè)務(wù)上邁大步，合作范圍可望一路由半導(dǎo)體、興建智慧工廠，擴(kuò)展到共同開拓印度市場。 　　今年年初，鴻海集團(tuán)宣布與SK C&C聯(lián)手，打造全新的IT服務(wù)合作公司，前進(jìn)大陸市場，為鴻海和SK集團(tuán)的合作揭開序幕，如今雙方的合作又將推出升級版。 　　據(jù)悉郭、崔二人系在瑞士每年舉行的世界經(jīng)濟(jì)論壇(達(dá)沃斯論壇)上結(jié)緣，兩人相談甚歡，當(dāng)時，郭臺銘立馬提議買下崔泰源手中的SK C
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲器雙雄掀軍備競賽

  • 　　昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計畫，隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進(jìn)入新一輪的軍備競賽。 　　三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個月已進(jìn)行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。 　　另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內(nèi)將投
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規(guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時，雙方還將擴(kuò)大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 　　SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計9月開始對客戶出貨。 　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲器封裝圖文揭密

  • 　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。 　　   　　圖1：HBM模組橫截面示意圖 　　(來
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海力士高頻寬存儲器封裝揭密

  • 　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。 　　圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

  • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 　　韓媒etnews 6日報導(dǎo)，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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三星移動DRAM市占破5成，臺廠邊緣化、海力士也挨打

  • 三星移動終端受挫，但是呢人家在DRAM領(lǐng)域悶聲發(fā)大財。
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突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)

  • 　　全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實用化。 　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士(
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sk 海力士介紹

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