- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導通電阻擴展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴大為6A~105A。
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Vishay E系列 MOSFET
- 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信...
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功率 MOSFET 基礎知識
- 一、引言電力電子設備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、...
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IGBT MOSFET
- 日前,集設計,研發(fā)一體的著名功率半導體及芯片供應商萬國半導體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。
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AOS AON6250 MOSFET
- 高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網(wǎng)絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器,也會降低相機的圖片質量。 調節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量,占用電路板空間,讓這些設計變得更復雜。
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飛兆 FDMQ86530L MOSFET
- 在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區(qū)別。工作性質:1.三極管用電流控制,MOS管...
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MOSFET 三極管
- 本應用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅動器的參考設計?;趩涡酒琈AX16821構建大電流LED驅動器,能夠為...
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MOSFET 降壓轉換器 RGB LED
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器,引言對電能轉換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)?200 W),并且常常會把電
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IGBT MOSFET 柵極驅動器
- 在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下,加之出口回升,預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。
據(jù)IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
明年增長將更加強勁,預計營業(yè)收入上升11%,隨后每年將保持穩(wěn)定增長,至少保持到2017年。到2017年,預
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消費電子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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MOSFET 功率器件
- SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監(jiān)控是一個新興的領域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體
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SiC 集成技術 生物電信號采集
- 摘要:在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上,討論驅動電路的設計,從而優(yōu)化MOSFET的驅動性能,提高設計的可靠性。
關鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗
功率MOSFET具有開關速度快,導通電阻小等優(yōu)點,因此在開關
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MOSFET 急聚點 損耗
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