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sic mosfet 文章 最新資訊

安森美用于辦公自動化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器方案

  • 電機(jī)的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個領(lǐng)域，如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、投影儀、電冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)、燃?xì)庠?、照相機(jī)、ATM機(jī)、電動縫紉機(jī)、保安攝像機(jī)、自動售貨機(jī)、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動化等。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  電機(jī)驅(qū)動  步進(jìn)電機(jī)  MOSFET  驅(qū)動器  

Vishay 聯(lián)袂中國電源學(xué)會舉辦電源專題研討會

  • 2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將與中國電源學(xué)會合作于10月16日舉辦電源專題研討會，該研討會內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會將在中國武漢的長江大酒店召開。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案提升大功率系統(tǒng)性能

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 擴(kuò)展碳化硅(SiC)肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  SiC  

在ZVS拓?fù)渲羞x擇最優(yōu)的死區(qū)時間

  • 摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫褂脮r的死區(qū)時間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，甚至使那些過時的設(shè)計(jì)方案也能達(dá)到更好的性能。
  • 關(guān)鍵字： ZVS  MOSFET  DC-DC  IBC  柵極  201311  

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

  • 　　在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 　　山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： SiC  晶圓  

麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器

  • 2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負(fù)載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程柵極驅(qū)動電壓范圍(5.5V至16V)等特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 麥瑞  MOSFET  MIC4604  

功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 功率穩(wěn)壓逆變電源  MOSFET  TL494  電壓型電流源  

通過集成式解決方案進(jìn)一步簡化PFC電路的設(shè)計(jì)

  • 開關(guān)電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率、高轉(zhuǎn)換效率以及體積小巧等優(yōu)勢，如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi)，開關(guān)電源包括大批量不同功率的應(yīng)用，例如LED/LCD電視機(jī)、LED照明、PC以及其他IT設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： PFC  LED  HiperPFS  MOSFET  CCM  

創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計(jì)

  • 目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
  • 關(guān)鍵字： 電源設(shè)計(jì)  MOSFET  

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計(jì)和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計(jì)–進(jìn)一步強(qiáng)化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  IGBT  整流器  

以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用中工作

  • 摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度，同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細(xì)分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實(shí)現(xiàn)這一性能的。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  Power  POL  MOSFET  晶圓  

影響MOSFET性能的一些因素

  • 在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進(jìn)。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  DC-DC  FastIRFET  

PV逆變器應(yīng)用升溫，推動SiC功率元件發(fā)展

  • 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
  • 關(guān)鍵字： PV  逆變器  SiC  功率元件  
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