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sic mosfet 文章 最新資訊

東芝推出適用于移動設(shè)備中負載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機和平板電腦等移動設(shè)備中的負載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動。 　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  • 　　近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師。“您碰巧在設(shè)計中用過60V的負載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

  • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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微芯有刷直流電機控制方案

  • 有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機的一些關(guān)鍵點：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
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被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

  • 　　看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節(jié)，來理解這個參數(shù)所設(shè)定的含義。 　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
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Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  • 　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計。 　　Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準

  • 　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。 　　   　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
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步進電機的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計

意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。 　　電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

  • 　　眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。 　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

  • 　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。 　　然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。 　　   　　一說起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進的功率技術(shù)，開發(fā)出獨具特色的便攜式電動汽車充電器

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。 　　作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能，讓Zaptec工程師得以設(shè)
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