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sic mosfet模型 文章 最新資訊

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

  • 領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產品主要分銷商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長應用領域的客戶提供產品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠實現(xiàn)新產品差異化的新技術。益登的
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
  • 關鍵字： 安森美  SiC  碳化硅  

安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
  • 關鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

臻驅科技與羅姆成立碳化硅技術聯(lián)合實驗室

  • 中國新能源汽車電驅動領域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅科技”）與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅科技和羅姆就采
  • 關鍵字： MOSEFT  SiC  

新基建驅動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

  • 汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業(yè)部執(zhí)行副總裁
  • 關鍵字： SiC  電氣  

聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展......
  • 關鍵字： 寬禁帶  半導體  SiC  GaN  

碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

  • 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續(xù)
  • 關鍵字： SiC  UPS  

ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
  • 關鍵字： OBC  SiC MOSFET  

安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用

  • 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二
  • 關鍵字： SiC  WBG  

CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

  • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。該可擴展
  • 關鍵字： SiC  IPM  

電機的應用趨勢及控制解決方案

  • 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
  • 關鍵字： 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領域一決勝負

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平

  • 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  
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