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sic fet 文章 最新資訊

SiC開始加速批量上車

  • 在新能源汽車技術(shù)的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術(shù)的應(yīng)用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術(shù)格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實現(xiàn)多價格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區(qū)間的車型
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SiC襯底市場 去年營收減9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應(yīng)商營收
  • 關(guān)鍵字： SiC  襯底  TrendForce  

內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

  • 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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英飛凌重返SiC JFET，實現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

  • Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設(shè)計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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GaN FET在人形機器人中的應(yīng)用

  • 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

  • ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業(yè)界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺

  • 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機量已經(jīng)突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強，實現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強格力空調(diào)的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
  • 關(guān)鍵字： 格力  家用空調(diào)  SiC  

清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

  • 近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源

  • 碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動機中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向 （EC） 冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來運行 AI 訓(xùn)練和推理，并在此過程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

  • 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
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是什么讓SiC開始流行？

  • 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復(fù)雜的材料。用于制造 SiC 功率半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來實現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導(dǎo)體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導(dǎo)熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進入市場?，F(xiàn)在，隨著技術(shù)進步收緊工藝控制、提高良率并
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SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性
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Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計人員在應(yīng)對設(shè)計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  • 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機  SiC  MOSFET  
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