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sic combo jfet 文章 最新資訊

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

羅姆開(kāi)發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē))和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  

羅姆半導(dǎo)體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動(dòng)力

  • 據(jù)羅姆中國(guó)營(yíng)業(yè)本部村井美裕介紹，面對(duì)未來(lái)的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  LED  

富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

  • 　　富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 富士電機(jī)  SiC  

復(fù)合式的Android

  • 有關(guān)Ice Cream Sandwich的消息不斷，近期出現(xiàn)在網(wǎng)絡(luò)上的報(bào)導(dǎo)眾多，一般認(rèn)為，Ice Cream Sandwich將會(huì)以Android 4.0的版本號(hào)碼釋出，成為Android發(fā)展史的重要里程碑。朝完全邁向商業(yè)化努力的Android系統(tǒng)，即將進(jìn)入重要的發(fā)展階段：「平板與手機(jī) Combo」版本
  • 關(guān)鍵字： Android  Combo  iPhone  

SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

  • 引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計(jì)  放大電路  

利用SiC大幅實(shí)現(xiàn)小型化 安川電機(jī)試制新型EV行駛系統(tǒng)

  • 安川電機(jī)試制出了利用SiC功率元件的電動(dòng)汽車(chē)（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)部構(gòu)成。通過(guò)...
  • 關(guān)鍵字： 安川電機(jī)  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場(chǎng)

  • 　　在由Xilinx主辦的會(huì)議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報(bào)告。Semico對(duì)于傳統(tǒng)的ASIC市場(chǎng)將只有低增長(zhǎng)的預(yù)測(cè),而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結(jié)等日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  Semico  SIC  

WiFi組合芯片組大放異彩 年內(nèi)出貨2.8億套

  • 　　結(jié)合藍(lán)牙(Bluetooth)、Wi-Fi、FM以及GPS等主要射頻功能于單晶片封裝的Combo芯片組，今年將會(huì)有相當(dāng)明顯的成長(zhǎng)。目前組合芯片領(lǐng)域的一些主要的廠商包括Broadcom、德州儀器、CSR、Atheros和擁有Snapdragon平臺(tái)的高通。而一些設(shè)備廠商在其新的無(wú)線設(shè)備上也開(kāi)始大量采用組合芯片技術(shù)，在縮減成本的同時(shí)，盡可能多的為產(chǎn)品功能進(jìn)行完善。 　　根據(jù)ABI Research的預(yù)估，隨著行動(dòng)裝置市場(chǎng)水漲船高的態(tài)勢(shì)，今年全球Combo芯片的出貨量將達(dá)到2.8億組。ABI Resear
  • 關(guān)鍵字： Broadcom  WiFi  Combo  

TV+DVD COMBO機(jī)開(kāi)路接收干擾的研究和解決方法

  • 摘要：介紹了TV+DVD COMBO機(jī)開(kāi)路狀態(tài)下易產(chǎn)生的干擾，針對(duì)其現(xiàn)象對(duì)干擾源、干擾現(xiàn)象、傳播路徑及敏感器件的進(jìn)行了分析，并通過(guò)相應(yīng)措施的應(yīng)用，達(dá)到對(duì)此狀態(tài)接收機(jī)電視信號(hào)質(zhì)量的改善。文中著重介紹了電源部分產(chǎn)生的
  • 關(guān)鍵字： 研究  解決  方法  干擾  接收  DVD  COMBO  開(kāi)路  TV  濾波器  

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 　　獨(dú)具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

電腦的麥克風(fēng)電路以及JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路

  • 電腦的麥克風(fēng)電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
  • 關(guān)鍵字： 電路  耳機(jī)  功放  JFET-MOSFET  以及  麥克風(fēng)  電腦  

德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級(jí)完美結(jié)合，可通過(guò)其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。 　　OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢(shì) 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時(shí)間域和脈沖型應(yīng)用的信號(hào)完整性： 　　　　o OPA653 是一款具有 2675
  • 關(guān)鍵字： TI  運(yùn)算放大器  JFET   

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關(guān)鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  
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