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s7 mosfet 文章 最新資訊

一種S7-300與S7-200自由口無線通信實現(xiàn)方法

  • 1項目簡介濱州市污水處理廠占地100萬立方米。采用德國BIOLAK污水處理工藝，日處理水規(guī)模為10萬立方米。項目使用四套S7-300和兩套S7-2
  • 關(guān)鍵字： S7-200S7-300自由口無線通  

淺談MOSFET驅(qū)動電路

  • 　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路?！　≡谑褂肕OSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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S7-200 PLC與組態(tài)王在變頻器節(jié)能項目上的應(yīng)用

  • 導讀:該系統(tǒng)采用上、下位機主從式結(jié)構(gòu)，plc作為下位機通過modbus通信方式，完成工業(yè)現(xiàn)場數(shù)據(jù)的實時采集；上位機采用工業(yè)控制計算機，與pl
  • 關(guān)鍵字： S7-200PLC組態(tài)王變頻器節(jié)能項  

S7-200模擬量使用應(yīng)該搞清的16個基本問題

  • 1什么是單極性、雙極性？雙極性就是信號在變化的過程中要經(jīng)過零，單極性不過零。由于模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量是有符號整數(shù)，所以雙極性信號對
  • 關(guān)鍵字： S7-200模擬量使用基本問  

用S7-200編程的幾個實例的編程技巧解析

  • 本文用S7-200編寫的幾個實例都是在網(wǎng)上發(fā)表或在回答網(wǎng)友的求助編寫的，程序短小，針對性強，有程序解析，特別適合初學者學習參考。一、網(wǎng)
  • 關(guān)鍵字： S7-200編程編程技  

功率器件心得——功率MOSFET心得

  • 　　功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負載，帶載能力要強?！　」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
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意法半導體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產(chǎn)品最大輸出電流達到120A，主要目標應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 　　意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因

  • 　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 　　目前在市場應(yīng)用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、
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基于TPS2491的熱插拔保護電路設(shè)計

  • 摘要：文章對主流熱插拔控制策略進行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線數(shù)據(jù)采集卡為設(shè)計實例，詳細介紹了基于TPS2491進行熱插拔保護電路的設(shè)計過程，并對設(shè)計電路進行了測試驗證，
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半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET？

  • 2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移，這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷

  • 　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 　　更環(huán)保的技術(shù) 　　英飛凌堅持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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東芝推出適用于移動設(shè)備中負載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導通電阻N溝道MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機和平板電腦等移動設(shè)備中的負載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動。 　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

  • 　　近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計師。“您碰巧在設(shè)計中用過60V的負載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  電壓    
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s7 mosfet介紹

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