rtx 3060 ti 文章 最新資訊
英偉達自食其果,將報銷顯卡廠商 RTX 4080 12GB 包裝盒費用

- IT之家 10 月 16 日消息,在用戶大量批評后,英偉達近日宣布取消了硬件全面縮水的 RTX 4080 12GB 顯卡?,F(xiàn)在,至少有兩個主板合作伙伴已向外媒 Gamers Nexus 確認,英偉達愿意為取消 RTX 4080 12GB 顯卡報銷包裝盒費用。據(jù)報道,英偉達將與已經(jīng)為 RTX 4080 12GB 顯卡制造了包裝盒的合作伙伴商談,償還他們的包裝成本。由于顯卡不再發(fā)布,現(xiàn)在必須收集和銷毀這些包裝盒,就像從來沒有宣傳過一樣。目前尚不清楚英偉達是否會報銷人力成本。IT之家了解到,作為目前 RTX 4
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熱管理:突破功率密度障礙的 3 種方法

- 實現(xiàn)更高功率密度的障礙是什么?實際上,熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性,既無法忽略也不能使用系統(tǒng)級過濾元件“優(yōu)化”。要緩解系統(tǒng)過熱問題,需要在開發(fā)過程的每個步驟中進行關(guān)鍵的微調(diào),以便設(shè)計能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是 TI 專注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關(guān)鍵領(lǐng)域。幾乎每個應用中的半導體數(shù)量都在成倍增加,電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都歸結(jié)于需要更高的功率密度。例如下面這幾類應用: ● 超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心:機架式服務(wù)器工作使用的
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消息稱英偉達在最新的驅(qū)動中取消了 RTX 30 顯卡挖礦限制

- IT之家 10 月 14 日消息,據(jù) VideoCardz 消息,英偉達已經(jīng)在最新的 522.25 驅(qū)動中取消了 RTX 30 系列顯卡的挖礦限制。據(jù)報道,網(wǎng)友Timbers007 已經(jīng)確認 GeForce RTX 3080 Ti 已經(jīng)不再受限制的影響,可實現(xiàn)112 MH / s 的挖礦速度。此外,RTX 3060 v2(帶 LHR 的型號)使用最新驅(qū)動程序也能達到47 MH / s 的速度。IT之家了解到,英偉達于 2021 年 5 月推出了 LHR 版本的 RTX 30 顯卡,限制顯卡挖礦算力。目前,
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使用TI功能安全柵極驅(qū)動器提高SiC牽引逆變器的效率

- 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型,電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力,這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高,因為它會影響系統(tǒng)熱性能,進而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級別更高,每輛汽車的電機數(shù)量增加,以及卡車朝著純電動的方向發(fā)展,人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術(shù)的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計得以實現(xiàn)。在許多應用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能,使用 GaN 進行設(shè)計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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使用低靜態(tài)電流小型器件準確測量生命體

- 眼下,“便攜式未來”似乎近在咫尺,曾經(jīng)龐大笨重的設(shè)備如今已變得輕巧便攜。我在個人電子產(chǎn)品上對此有著親身體會:以前的手機又重又慢,而現(xiàn)在的手機不僅外形纖薄,運行速度快,而且電池壽命也越來越長。我在個人醫(yī)療保健應用中也看到了這一趨勢?,F(xiàn)在不需要去看醫(yī)生就可以檢查生命體征,一方面是因為血糖監(jiān)測儀等設(shè)備的尺寸越來越小,可以放在掌心上,而且功耗越來越低。為了給用戶提供反應靈敏的生命體征測量設(shè)備,血糖監(jiān)測儀不斷向功耗更低且電池壽命更長的趨勢發(fā)展。血糖監(jiān)測儀是一種功耗超低的設(shè)備,并試圖將靜態(tài)電流 (Iq) 降到盡可能低
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TI:以太空強化型塑料裝置因應低軌道衛(wèi)星應用挑戰(zhàn)

- 新興的太空市場中,近年大量低地球軌道 (LEO) 衛(wèi)星的發(fā)射令人振奮,這些衛(wèi)星體積小、成本合理,能夠耐輻射并且非??煽俊_@些衛(wèi)星可以對全世界擴展通訊和聯(lián)機。不同于傳統(tǒng)的衛(wèi)星市場,大多數(shù)任務(wù)都在距離地球 22,236 英哩的地球同步軌道上,預計將持續(xù) 10 年以上,LEO 衛(wèi)星的軌道距離地球更近,不超過 1,300 英哩。由于這些衛(wèi)星相對容易替換,因此任務(wù)壽命通常不到七年。 太空強化型塑料裝置將有助于因應低地球軌道應用的挑戰(zhàn)LEO 衛(wèi)星電子設(shè)計必須同時滿足嚴格的預算并保持競爭力,因此面臨的的主要挑
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消息稱英偉達 RTX 3060 系顯卡近期緊缺,新版本 10 月發(fā)售

- IT之家 9 月 29 日消息,據(jù)博板堂消息,RTX 3060 系列顯卡近期出現(xiàn)緊缺狀況,這可能與新版本將在 10 月推出有關(guān)。IT之家曾報道,本月初即有消息稱英偉達將推出新款 RTX 3060 系列顯卡,起到清庫存的效果,將上代 GPU 最大化利用。消息稱,新版 RTX 3060 顯卡將配備 8GB 內(nèi)存,比原版少了 4GB,價格可能低于 300 美元(約 2157 元人民幣)。新版RTX 3060 Ti 可能會配備 GDDR6X 顯存,增加顯存帶寬。目前,在京東平臺,RTX 3060 顯卡的價格保持平
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英偉達推出開源項目CV-CUDA,流處理量相當于基于單個GPU的10倍

- IT之家 9 月 25 日消息,從英偉達獲悉,為了幫助更快、更高效地大規(guī)模處理圖像,英偉達推出了 CV-CUDA,這是一個用于構(gòu)建加速型端到端計算機視覺和圖像處理管道的開源庫。英偉達表示,互聯(lián)網(wǎng)流量以視頻為主。這類視頻將越來越多地被 AI 特效和計算機圖形所增強。同時,迅猛增長的社交媒體和視頻共享服務(wù)遇到了難題,包括云計算成本不斷增長,以及基于 AI 的成像處理和計算機視覺管線遭遇瓶頸。據(jù)介紹,CV-CUDA 可為 AI 特效加速,例如重照明、重置、模糊背景和超高分辨率。CV-CUDA 提供了 50 多種
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3090不見了!NVIDIA曬最新RTX顯卡家族:你買誰?

- NVIDIA近日更新官網(wǎng)的顯卡家族,想買的網(wǎng)友可以參考之后下手了。從NVIDIA官網(wǎng)展示細節(jié)看,目前的顯卡家族包含了RTX 40系列和RTX30系列,羅列出來的都是接下來要服役的主力顯卡。具體來說包含了:RTX 4090、4080;RTX 3080、3070和3060,而RTX 3090不見蹤影,可以遇見的是,接下來隨著RTX 40系列其他新品發(fā)布,RTX 30系列還要做出調(diào)整。3090不見了!NVIDIA曬最新RTX顯卡家族:你買誰?? 由 3DM 提供9月20日晚,在NVIDIA GTC大會
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臺積電 4N 工藝給力,英偉達 RTX 4090 實測 2.8GHz 運行《賽博朋克 2077》

- IT之家 9 月 23 日消息,日前,英偉達發(fā)布了 RTX 4090 顯卡,官網(wǎng)標注 GPU Bosst 頻率為 2.52GHz。但在英偉達發(fā)布的一段《賽博朋克 2077》演示視頻中,實際頻率超過了 2.8GHz。據(jù)外媒報道,NVIDIA CEO 黃仁勛一直在暗示 RTX 4090 在內(nèi)部超頻測試中可達 3.0 GHz,但目前還沒有更多證據(jù)。如果 RTX 4090 在運行游戲時即可默認達到 2.8 GHz,那么 3GHz 應該很容易實現(xiàn)。IT之家曾報道,英偉達官網(wǎng)現(xiàn)已上線三款
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半導體產(chǎn)值下修 模擬芯片的現(xiàn)在與未來

- 世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織 (WSTS) 發(fā)布2022年8月最新半導體市場預測,由于消費性電子終端需求疲弱,導致內(nèi)存價格下跌、產(chǎn)值縮水,加上內(nèi)存市場成長動能趨緩,預估今年全球半導體市場成長率將由原來的16.3%下修至13.9%,市場規(guī)模達6,332.38億美元,較原先預期的6,464.56億美元調(diào)降2.0%。2023年市場成長率則自5.1%下修至4.6%,市場規(guī)模達6,623.6億美元,較原先預期的6,796.5億美元調(diào)降2.5%,雖然如此,今、明總體市場規(guī)模仍將續(xù)創(chuàng)新高。隨著動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及儲
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