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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場

  • 據(jù)日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
  • 關鍵字： ASML  NA  EUV  光刻設備  

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現(xiàn)納安級消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉換器成為影響這些產品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現(xiàn)。
  • 關鍵字： 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
  • 關鍵字： 100  0.1  KHZ  NA    

尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。  　　這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
  • 關鍵字： NA  尼康  嵌入式系統(tǒng)  
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