rf-ic 文章 最新資訊
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
- 關鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
新型F1490射頻放大器具有超低靜態(tài)電流可降低功耗、提高增益鏈路余量，且性能穩(wěn)定
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布進一步擴展其強大的射頻放大器產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品F1490，可提供遠低于競品的靜態(tài)電流（75mA）。F1490作為第二代高增益2級射頻放大器，涵蓋從1.8 GHz到5.0 GHz的關鍵sub-6GHz 5G頻段。F1490為設計人員簡化發(fā)射鏈路的器件選型、消除增益模塊并保持增益余量，同時提供兩種可選的增益模式，從而為系統(tǒng)設計帶來更高靈活性、更低功耗和更強大性能。瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen Yanduru?表示：“F149
- 關鍵字： QFN CATV RF IF
GaN 器件的直接驅動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
如何優(yōu)化樓宇和家居自動化設計以提高能效
- 根據(jù)聯(lián)合國的研究，建筑和施工業(yè) 占2018年全球能源消耗的36％ ，產(chǎn)生了令人擔憂的碳足跡，而且這一能耗百分比還在持續(xù)增長。這些數(shù)據(jù)為我們敲響了警鐘。因此，如何解決這一問題迫在眉睫。工業(yè)設計工程師希望提高樓宇的能源效率，以降低公用事業(yè)成本并減少碳足跡。為真正提高效率，設計師必須同時關注新建筑和現(xiàn)有樓宇，擴建以及運營和維護帶來的持續(xù)上漲的成本。與物聯(lián)網(wǎng)（IoT）相關的技術在提高能效方面起著至關重要的作用。傳感器可根據(jù)其感測的環(huán)境條件自動關閉燈、暖氣或任何其他耗電系統(tǒng)。與物聯(lián)網(wǎng)相關的器件是
- 關鍵字： IC
意法半導體通過兩項并購，進一步增強STM32微控制器的無線連接功能
- 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)，于日前宣布簽署兩項并購協(xié)議，收購超寬帶技術專業(yè)設計公司BeSpoon的全部股本和Riot Micro公司的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)連接資產(chǎn)。在兩項交易走完正常監(jiān)管審批手續(xù)成交后，意法半導體將進一步提升其在無線連接技術方面的服務，特別是完善STM32微控制器和安全微控制器的產(chǎn)品規(guī)劃。BeSpoon公司位于法國Le Bourget du Lac，成立于2010年，是一家無晶圓廠半導體設計公司，專門研究超寬帶(UWB)通
- 關鍵字： IC UWB BLE
Soitec以新技術為自動駕駛發(fā)展保駕護航
- 作為一家設計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的技術領導企業(yè)，來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導體晶圓襯底材料來助力整個信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新，通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務。特別是伴隨著5G技術的不斷推進，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關重要的作用，可以說Soitec的技術是促進5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當然，“幕后英雄”也因為其先進的技術獲得企業(yè)的飛速發(fā)展，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
- 關鍵字： Soitec RF-SOI FD-SOI
ROHM首創(chuàng)過零檢測IC，進一步降低家電待機功耗
- 隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及和發(fā)展，Wi-Fi等通信功能配置在不斷普及,為了保證通信功能的正常進行，各種家電包括白色家電、黑色家電在內，都要始終處于通電狀態(tài)，這種狀態(tài)無疑增加了家電類產(chǎn)品的待機功耗。另一方面，家電產(chǎn)品的顯示器正在進行大型化、高性能化和多功能化的發(fā)展，它的顯示部分越來越復雜，所以需要搭配高性能的微控制器(MCU)，這一方面增加了工作功耗，使待機功耗、工作功耗都在不斷的增加；另一方面，隨著綠色可持續(xù)化發(fā)展的需要，要求家電產(chǎn)品要不斷降低待機功耗和工作功耗。傳統(tǒng)上，會從AC/DC、DC/DC電源部分來考慮（如
- 關鍵字： IC MCU Wi-Fi
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
- 關鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
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