rf-cmos 文章最新資訊

一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉(zhuǎn)換器包括高速模擬開(kāi)關(guān)、帶隙參考電路、電流調(diào)整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結(jié)構(gòu)，同時(shí)還采取了電流源調(diào)整技術(shù)，改善了芯片的線性參數(shù)。電路基于0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì)，芯片面積3.8mm2。測(cè)試表明，其刷新率可達(dá)210MSPS，INL為±0.8LSB，DNL為±0.5LSB，SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz，在3.3V電壓下工作時(shí)功耗小于120mW。　
關(guān)鍵字： DAC CMOS

一種數(shù)字化的雙向微型無(wú)線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文提出了一種全新的數(shù)字化的雙向微型無(wú)線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有可實(shí)時(shí)觀察病人消化道圖像、全消化道檢查、提供三維深度圖像數(shù)據(jù)等功能。對(duì)消化道疾病的檢查，目前最常用和最直接有效的方法就是內(nèi)窺鏡檢查，它在消化道疾病的診斷中起著極為重要的作用。但現(xiàn)有的常用內(nèi)窺鏡系統(tǒng)都不得不帶有引導(dǎo)插管，給系統(tǒng)操作帶來(lái)不便，同時(shí)給檢查病人也帶來(lái)很大的痛苦，而且檢查的部位受到限制，無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)小腸部分的檢查。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，以色列人開(kāi)發(fā)出了無(wú)線內(nèi)窺鏡系統(tǒng)[1]，其發(fā)展還在起步階段，存在一些局限性，比如圖像
關(guān)鍵字：無(wú)線 CMOS

泰克兩手并舉推動(dòng)MDO集成示波器加速普及

　　2011年9月，泰克公司的MDO系列集成示波器正式亮相，以一種全新的量測(cè)儀器迅速打開(kāi)了市場(chǎng)。　　據(jù)泰克公司時(shí)域業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mike?Flaherty透露，時(shí)至今日，MDO系列產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了1億美元的銷售額，并將在總值達(dá)5億美元的中端市場(chǎng)中與MSO系列產(chǎn)品平分秋分?！　　扒度胧较到y(tǒng)的無(wú)線技術(shù)方面發(fā)生了根本轉(zhuǎn)變。由于RF技術(shù)如此成熟和經(jīng)濟(jì)，它們逐漸被接受和廣泛運(yùn)用，如同幾年前的串行數(shù)據(jù)技術(shù)一樣”，泰克公司主流示波器總經(jīng)理Dave?Farrell表示，“此外，隨著數(shù)字信號(hào)的速度不斷增加，
關(guān)鍵字：泰克 MDO3000 MDO4000B RF EMI

安森美半導(dǎo)體推出高能效電池監(jiān)測(cè)器

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON?Semiconductor，)推出新系列的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)?“電池電量監(jiān)測(cè)器”集成電路(IC)，為智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)等多種便攜電子產(chǎn)品中常用的單節(jié)鋰離子(Li+)電池提供精確的剩余電量等級(jí)監(jiān)測(cè)。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F結(jié)合了高精度等級(jí)，以及業(yè)界最低能耗，優(yōu)于執(zhí)行此功能的競(jìng)爭(zhēng)器件。這些器件還減少元件數(shù)量及降低系統(tǒng)成本，因?yàn)樗鼈兏?jìng)爭(zhēng)器件不同，并不要求電流感測(cè)電阻來(lái)組成方案?！　“采腊?/li>
關(guān)鍵字：安森美 LC709201F CMOS 便攜電池監(jiān)測(cè)

一種基于混合信號(hào)技術(shù)的汽車電子單芯片設(shè)計(jì)

隨著汽車部件電子化程度的不斷提高,汽車工程師們正積極地尋求車輛系統(tǒng)中的先進(jìn)控制和接口技術(shù)解決方案。目前,汽車系統(tǒng)中用來(lái)嵌入這些功能單元的空間和能源十分有限,汽車工程師們正借助于新穎的高壓混合信號(hào)技術(shù)將復(fù)雜的——截至目前還不兼容的元件功能集成到一塊芯片上?，F(xiàn)在,應(yīng)用與42V車載電壓兼容的I3T高電壓技術(shù)已經(jīng)可以將復(fù)雜的數(shù)字電路(如傳感器)、嵌入式微處理器以及功率電路(如激勵(lì)源或開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器)集成到一起。 LIN總線系統(tǒng) 由于其相對(duì)較低的造價(jià),LIN總線正被廣泛應(yīng)用于汽車的分布式電氣
關(guān)鍵字： AMI CMOS

三星28納米工藝技術(shù)為客戶新增RF功能

　　作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布為其28納米工藝技術(shù)新增射頻(RF)功能。隨著物聯(lián)網(wǎng)快速成為現(xiàn)實(shí)，三星晶圓代工事業(yè)部開(kāi)始助力芯片設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中集成高級(jí)RF功能，使互聯(lián)家用電器、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和供暖/制冷系統(tǒng)等連接應(yīng)用成為可能?！　　艾F(xiàn)在市場(chǎng)上只有少數(shù)晶圓代工廠能夠提供先進(jìn)制程工藝，而能在芯片設(shè)計(jì)中集成RF功能的選擇則更為有限?！叭蔷A代工事業(yè)部市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁韓承勛指出，”隨著我們進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，智能連接設(shè)備也將更加普及，更小和節(jié)能型的RF設(shè)計(jì)對(duì)SoC解決方案來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。為
關(guān)鍵字：三星 28nm RF 物聯(lián)網(wǎng) 晶圓

Nordic Semiconductor和Digi-Key簽署全球分銷協(xié)議

　　　超低功耗(ULP)射頻(RF)專業(yè)廠商N(yùn)ordic?Semiconductor?ASA宣布與分銷巨頭Digi-Key?公司簽署了全球分銷協(xié)議，涵蓋所有ULP產(chǎn)品系列，包括業(yè)界領(lǐng)先的藍(lán)牙低功耗解決方案?！　ordic的藍(lán)牙低功耗解決方案包括多次獲獎(jiǎng)、帶有內(nèi)置32位ARM?Cortex?M0?CPU?的nRF51822?系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)、高集成度nRF8001連接IC、瞄準(zhǔn)匙扣?(key?tag-t
關(guān)鍵字： Nordic ULP RF Digi-Key 低功耗

RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎(jiǎng)

　　全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎(jiǎng)。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā)，推出獨(dú)特的無(wú)線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據(jù)其對(duì)于無(wú)線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場(chǎng)的最新分析結(jié)果，認(rèn)為RFaxis的創(chuàng)新解決方案實(shí)現(xiàn)了卓越性能、功能與經(jīng)濟(jì)性的完美結(jié)合，已經(jīng)得到證明是傳統(tǒng)GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項(xiàng)?！　鹘y(tǒng)上，F(xiàn)R
關(guān)鍵字： RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF

飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個(gè)射頻功率產(chǎn)品

　　射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個(gè)全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個(gè)產(chǎn)品可滿足美國(guó)國(guó)防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計(jì)劃發(fā)布的首套產(chǎn)品?！　★w思卡爾現(xiàn)在為美國(guó)國(guó)防系統(tǒng)客戶提供與其他市場(chǎng)相當(dāng)?shù)闹С炙?，使客戶可以?yōu)化這些射頻器件的性能，適合雷達(dá)、軍用通信和電子戰(zhàn)的應(yīng)用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨計(jì)劃中，根據(jù)不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應(yīng)。?此外，飛思卡爾射頻國(guó)防市場(chǎng)專家組成的專門(mén)團(tuán)隊(duì)擁有符合I
關(guān)鍵字：飛思卡爾 LDMOS RF 國(guó)防

高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

　　高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開(kāi)關(guān)，相信會(huì)在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。　　集成天線開(kāi)關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開(kāi)關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動(dòng)終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的單
關(guān)鍵字：高通 CMOS

一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： DAC D/A CMOS 201402

一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設(shè)計(jì)

　　本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
關(guān)鍵字：射頻開(kāi)關(guān) CMOS 開(kāi)關(guān)芯片 201402

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

前面我說(shuō)過(guò)，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
關(guān)鍵字： CMOS PMOS 傳輸門(mén) NMOS CPU

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

上一帖我們說(shuō)到了IC的性能取決于R與C的乘積?？吹搅粞院笪野l(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個(gè)遺漏的事實(shí)：當(dāng)器件的尺寸變得越來(lái)越小，連線在IC中越來(lái)越成為一個(gè)瓶頸。這是由于一個(gè)非常簡(jiǎn)單的原因：連線相對(duì)于器件的尺寸來(lái)說(shuō)越來(lái)越長(zhǎng)了。
關(guān)鍵字： EDA CMOS CPU 反相器 PMOS