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rf-cmos 文章 最新資訊

MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運(yùn)算放大器

ADI推出面向射頻(RF)信號(hào)器件的超低噪聲LDO(低壓差)穩(wěn)壓器

  • Analog Devices, Inc.(NASDAQ:ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,近日宣布推出面向射頻(RF)信號(hào)器件的超低噪聲LDO(低壓差)穩(wěn)壓器。ADM7150/1的工作電壓為4.5 V至16 V,最多可提供800 mA輸出電流,輸出電壓范圍為1.5至5.0 V。
  • 關(guān)鍵字: ADI  RF  穩(wěn)壓器  

ROHM(羅姆)集團(tuán)產(chǎn)品解決方案展示

  • ROHM(羅姆)旗下的LAPIS Semiconductor憑借面向ZigBee?產(chǎn)品等長年開發(fā)的RF電路設(shè)計(jì)技術(shù),開發(fā)出無線通信LSI“ML7105”,達(dá)成了收發(fā)數(shù)據(jù)時(shí)的電路電流目標(biāo)。最大限度地發(fā)揮以往的技術(shù)積累,實(shí)現(xiàn)細(xì)致的電路電流的優(yōu)化和RF電路結(jié)構(gòu)的大幅變更。
  • 關(guān)鍵字: LAPIS  ROHM  無線通信  RF  MCU  201311  

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

  • 2013 年 11 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝,導(dǎo)通電阻只有1.5?
  • 關(guān)鍵字: Vishay  CMOS  導(dǎo)通電阻  

美國半導(dǎo)體聯(lián)盟啟動(dòng)“半導(dǎo)體合成生物技術(shù)”

  •   新計(jì)劃的第1階段將在3個(gè)相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個(gè)探索性的項(xiàng)目:第1個(gè)領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中,反之亦然;第2個(gè)領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域,專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個(gè)領(lǐng)域是分子級(jí)精確增材制造領(lǐng)域,將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級(jí)尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計(jì)劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計(jì)劃將為第1階段研究投資225萬美元。-   麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  CMOS  

改進(jìn)RGC結(jié)構(gòu)的光互連CMOS前置放大器設(shè)計(jì)

  • 該前置放大器采用了改良后的RGC結(jié)構(gòu)作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結(jié)果表明:在光探測器結(jié)電容 ...
  • 關(guān)鍵字: RGC  CMOS  前置放大器  

帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
  • 關(guān)鍵字: 增益  高速  CMOS  運(yùn)算放大器  

CMOS型單片機(jī)時(shí)鐘電路圖

  • MCS-51內(nèi)部都有一個(gè)反相放大器,XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端,外接定時(shí)反饋元件以后就組成振蕩器 ...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  單片機(jī)  時(shí)鐘電路  

新日本無線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性,還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲抑制能力,是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡(luò)  

技術(shù):CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

  •   目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。   1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)   1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。   1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
  • 關(guān)鍵字: CMOS  電阻  

安立的RF/RRM一致性測試和協(xié)議一致性測試已取得領(lǐng)先地位

  • 安立公司(董事長Hirokazu Hashimoto)宣布其RF/RRM一致性測試系統(tǒng)和協(xié)議一致性測試系統(tǒng)在LTE Advanced載波聚合的GCF認(rèn)證中已經(jīng)取得了領(lǐng)先地位。
  • 關(guān)鍵字: 安立  測試系統(tǒng)  RF/RRM  

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: CMOS  LCVCO  電感  射頻開關(guān)  PVT  鎖相環(huán)  

RF無線技術(shù):工業(yè)用無線傳感器網(wǎng)絡(luò)

  • 近年來,隨著無線通信、電源效率、極度微型化(如透過MEMS傳感器達(dá)到的迷你規(guī)格設(shè)計(jì))以及嵌入式運(yùn)算技術(shù)的不...
  • 關(guān)鍵字: RF  無線技術(shù)  無線傳感器網(wǎng)絡(luò)  

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復(fù)用器/開關(guān)

  • 概述:MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速,低電壓,CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復(fù)用器(MAX4617),兩個(gè)4通道多路 ...
  • 關(guān)鍵字: MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復(fù)用器  

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供高功率性能

  • 致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)技術(shù)的射頻(radio frequency,RF)功率晶體管系列。
  • 關(guān)鍵字: 美高森美  晶體管  RF  
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