rf-cmos 文章 最新資訊
MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運(yùn)算放大器
- MAX44265運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流,如手機(jī),筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備的電池供 ...
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美國半導(dǎo)體聯(lián)盟啟動(dòng)“半導(dǎo)體合成生物技術(shù)”
- 新計(jì)劃的第1階段將在3個(gè)相關(guān)又有所區(qū)別的領(lǐng)域支持6個(gè)探索性的項(xiàng)目:第1個(gè)領(lǐng)域是細(xì)胞形態(tài)-半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,將從細(xì)胞生物學(xué)獲得的經(jīng)驗(yàn)應(yīng)用到新型芯片體系結(jié)構(gòu)中,反之亦然;第2個(gè)領(lǐng)域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領(lǐng)域,專門支持半導(dǎo)體生物混合系統(tǒng);第3個(gè)領(lǐng)域是分子級(jí)精確增材制造領(lǐng)域,將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級(jí)尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計(jì)劃第1階段的研究成果將用于指導(dǎo)未來多代半導(dǎo)體合成生物技術(shù)研究。半導(dǎo)體研究聯(lián)盟的全球研究合作計(jì)劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 麻省理工學(xué)院的RahulSarpe
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 CMOS
帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
- 設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源 ...
- 關(guān)鍵字: 增益 高速 CMOS 運(yùn)算放大器
新日本無線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806

- 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性,還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲抑制能力,是一款兩全其美外加實(shí)用的好產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字: 新日本 CMOS 無線網(wǎng)絡(luò)
技術(shù):CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。 1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。 1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
- 關(guān)鍵字: CMOS 電阻
安立的RF/RRM一致性測試和協(xié)議一致性測試已取得領(lǐng)先地位

- 安立公司(董事長Hirokazu Hashimoto)宣布其RF/RRM一致性測試系統(tǒng)和協(xié)議一致性測試系統(tǒng)在LTE Advanced載波聚合的GCF認(rèn)證中已經(jīng)取得了領(lǐng)先地位。
- 關(guān)鍵字: 安立 測試系統(tǒng) RF/RRM
RF無線技術(shù):工業(yè)用無線傳感器網(wǎng)絡(luò)
- 近年來,隨著無線通信、電源效率、極度微型化(如透過MEMS傳感器達(dá)到的迷你規(guī)格設(shè)計(jì))以及嵌入式運(yùn)算技術(shù)的不...
- 關(guān)鍵字: RF 無線技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供高功率性能
- 致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)技術(shù)的射頻(radio frequency,RF)功率晶體管系列。
- 關(guān)鍵字: 美高森美 晶體管 RF
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