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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇

　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。　　　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(zhǎng)至1.1億美元　　由碳化硅電力設(shè)備市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
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氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場(chǎng)

　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。　　Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)將以93%的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。　　目前銷(xiāo)售Ga
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量化射頻（RF）干擾對(duì)線性電路的影響

　　典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶(hù)可能期望千兆赫水平的RF信號(hào)衰減到非常低的水平，因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。事實(shí)上，包含在放大器內(nèi)的靜電放電(ESD)二極管、輸入結(jié)構(gòu)和其它非線性元件會(huì)在放大器的輸入端對(duì)RF信號(hào)進(jìn)行“整流”。在實(shí)際意義上，RF信號(hào)被轉(zhuǎn)換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。　　用戶(hù)也許會(huì)問(wèn)：“對(duì)于由給定RF信號(hào)產(chǎn)生的DC偏移電壓，我如何確定其幅
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EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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如何實(shí)現(xiàn)軟件定義無(wú)線電動(dòng)態(tài)范圍的最大化

本文回顧了軟件定義無(wú)線電發(fā)展，介紹了擴(kuò)大軟件定義無(wú)線電的動(dòng)態(tài)范圍的電路元件、計(jì)算和仿真工具，并重點(diǎn)關(guān)注ADC的性能和頻率規(guī)劃。
關(guān)鍵字：軟件定義無(wú)線電(SDR) 動(dòng)態(tài)范圍信號(hào) RF 201509

高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量

　　目前，電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開(kāi)發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器

GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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越快越好：GSPS ADC實(shí)現(xiàn)寬帶寬RF數(shù)字化儀

本文討論即將來(lái)臨的3.3V控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)器在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用，敬請(qǐng)關(guān)注。
關(guān)鍵字： ADC GSPS RF 數(shù)字化儀 201508

Wi-Fi系統(tǒng)效能大躍進(jìn)的秘密-802.11ac Wave 2

多輸入多輸出，更高的效率Wi-Fi系統(tǒng)的效能與容量將邁入新境界。
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手機(jī)增加一個(gè)NFC功能會(huì)對(duì)價(jià)格影響多少

手機(jī)終端增加移動(dòng)支付芯片不只是簡(jiǎn)單的芯片硬件成本，還有更多其他配套成本，但是增加一個(gè)功能可以帶來(lái)差異化，差異化可以給手機(jī)帶來(lái)的溢價(jià)。
關(guān)鍵字： NFC RF

手機(jī)RF和混合信號(hào)集成設(shè)計(jì)

　　一直以來(lái)，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對(duì)包含多標(biāo)準(zhǔn)(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長(zhǎng)，直接轉(zhuǎn)換接收器和發(fā)射器架構(gòu)變得日趨流行。在過(guò)去十年中，集成電路技術(shù)取得長(zhǎng)足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號(hào)和基帶處理功能成為可能。　　一個(gè)典型的蜂窩收發(fā)器(見(jiàn)圖)包括RF前端、混合信號(hào)部分和實(shí)際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構(gòu)選擇包括直接轉(zhuǎn)換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉(zhuǎn)換到直流的方法會(huì)受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
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RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué)

　　在過(guò)去的幾十年中，混合信號(hào)集成電路(IC)設(shè)計(jì)一直是半導(dǎo)體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰(zhàn)的設(shè)計(jì)之一。在這期間，盡管半導(dǎo)體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個(gè)永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運(yùn)算的數(shù)字世界實(shí)現(xiàn)無(wú)縫對(duì)接，當(dāng)前無(wú)處不在的移動(dòng)環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。　　當(dāng)今全球半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲(chǔ)器IC約占這個(gè)市場(chǎng)的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅(qū)動(dòng)著這些IC
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實(shí)現(xiàn)模擬/RF設(shè)計(jì)復(fù)用？ADI實(shí)驗(yàn)室電路開(kāi)始大顯身手

　　在電子設(shè)計(jì)中，模擬/RF設(shè)計(jì)一直是最讓設(shè)計(jì)師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計(jì)，但是，要讓器件運(yùn)轉(zhuǎn)正常，設(shè)計(jì)師需要更多實(shí)際電路的評(píng)估和測(cè)試，這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗(yàn)的積累，也是非常耗費(fèi)精力財(cái)力的，有沒(méi)有什么辦法讓設(shè)計(jì)師可以加快這方面的設(shè)計(jì)呢?或者能實(shí)現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實(shí)驗(yàn)室電路給出了一些探索。　　“ADI的實(shí)驗(yàn)室電路不同于參考設(shè)計(jì)，是更接近實(shí)際應(yīng)用的電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時(shí)表示，
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RF電路與天線的EMC研究

　　當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計(jì)完成之后，其性能不一定就會(huì)完全達(dá)標(biāo)，其中會(huì)導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個(gè)重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因?yàn)樯漕l范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因?yàn)槠渌椒矫婷娴脑?。大多?shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。　　處理干擾問(wèn)題是做設(shè)計(jì)工作必須的、更是射頻設(shè)計(jì)、預(yù)研工作重點(diǎn)之一。在此簡(jiǎn)單談?wù)勎覀儗?duì)射頻方面電磁干擾的理解與認(rèn)識(shí)。　　電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無(wú)處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
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千兆采樣ADC確保直接RF變頻

　　隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計(jì)與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過(guò)程節(jié)點(diǎn)，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達(dá)應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來(lái)了全新的系統(tǒng)解決方案。　　最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前，唯一可運(yùn)行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高，且通常無(wú)法提供超過(guò)7位的有效位數(shù)(ENOB)，這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
關(guān)鍵字： ADC RF 轉(zhuǎn)換器 LVDS FPGA