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qlc nand 文章 最新資訊

SAM4E單片機之旅——16、NAND Flash讀寫

  • 　　這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法?！　∫?、 接線　　這個開發(fā)板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：　　    　　偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復用為輸入
  • 關鍵字： SAM4E  NAND  

手機實現(xiàn)512GB容量不是夢：72層3D NAND閃存問世

  • 　　隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　    　　日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。　　  
  • 關鍵字： 海力士  NAND  

技術更新失敗加產(chǎn)能不足 內(nèi)存價格持續(xù)上漲

  • 從去年年中開始，以固態(tài)硬盤為代表的，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品，開始緩慢漲價。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  NAND  

買家眾多 東芝存儲業(yè)務將花落誰家？

  • 東芝已經(jīng)處于資不抵債的邊緣，被迫出售優(yōu)質(zhì)大額資產(chǎn)來改善其財務狀況，究竟東芝存儲業(yè)務花落誰家，雖然在近期就可以揭曉。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

乘上存儲芯片漲價潮 美光Q2業(yè)績超預期

  • 　　北京時間3月24日上午消息，由于供應趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價格上升，美光科技預計當前季度的營收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。 　　由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級周期”。 　　美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
  • 關鍵字： 美光  NAND  

三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

  • 　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 　　三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。 　　市調(diào)機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
  • 關鍵字： 三星  3D NAND   

長江存儲3D閃存各項指標已達預期 2019年全速量產(chǎn)

  • 　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。 　　長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，隨后
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  

手機廠家紛紛漲價全是因為它

  • 　　3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進行價格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價措施……手機廠家紛紛執(zhí)行漲價措施，往常都想用低價策略吸引用戶的廠家們這次都是因為什么呢?　　有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場上的閃存類產(chǎn)品價格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價的手機是否有什么關系呢?　　關鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應求的狀況，導致其價格上漲，最終
  • 關鍵字： Nand  內(nèi)存  

DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？

  • 　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。　　  
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

DRAM邁入3D時代！

  • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)

  • 　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。 　　長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
  • 關鍵字： NAND  東芝  

三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應吃緊整年

  • 　　市調(diào)機構集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。 　　集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達到高峰，產(chǎn)品平均售價走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 　　集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
  • 關鍵字： 三星  NAND  

發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關鍵字： 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

各大廠搶進3D NAND致存儲器價格大漲

  • 　　據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。 　　不過，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。 　　2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米，美光導
  • 關鍵字： NAND  存儲器  

比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

  • 　　非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。 　　根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實現(xiàn)高達
  • 關鍵字： NAND  ReRAM  
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