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pnp 功率晶體管 文章 最新資訊

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

  • 　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。 　　恩智浦R
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  LDMOS  基站  功率晶體管  

大電流 NPN 和 PNP LDO實(shí)現(xiàn)直接并聯(lián)和高功率密度

  • 　　低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)長期以來被認(rèn)為是低性能的廉價(jià)器件，尤其是在與相對(duì)復(fù)雜的開關(guān)穩(wěn)壓器相比時(shí)更是這樣，不過，性能提高已經(jīng)給簡(jiǎn)單和不顯眼的LDO 注入了新的活力。電源設(shè)計(jì)師正在從LDO性能的以下改進(jìn)中獲益。 　　
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  NPN  PNP  LDO  模擬IC  電源  
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