nor flash 文章最新資訊

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現(xiàn)片外FLASH擦寫

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言

在DSP系統(tǒng)的設(shè)計中，經(jīng)常要使用片外存儲器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
關(guān)鍵字：方式實現(xiàn) FLASH 擦寫映射地址 DSP 嵌入式系統(tǒng) 通過

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
關(guān)鍵字：心電監(jiān)控應(yīng)用設(shè)計 FPGA 混合 Flash 構(gòu)架模數(shù) 基于

Flash單片機(jī)自編程技術(shù)

Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進(jìn)行擦除/編程，但是，要求運(yùn)行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實時數(shù)字信號處理而設(shè)計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應(yīng)用于嵌入式實時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
關(guān)鍵字： MBM29LV800BA 接口技術(shù) 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器

Flash越來越受到支持

　　根據(jù)Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉(zhuǎn)他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機(jī)平臺支援這項技術(shù)。　　
關(guān)鍵字： Apple Flash

基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計

1引言火災(zāi)樓層顯示器作為火災(zāi)自動報警系統(tǒng)的重要組成部分，是一種安裝在樓層或獨立防火區(qū)中的數(shù)字式火...
關(guān)鍵字：火災(zāi)報警 CAN總線樓層顯示器 FLASH 漢字液晶

NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
關(guān)鍵字：芯片設(shè)計控制 flash SD NAND 用于

Spansion發(fā)布業(yè)內(nèi)首款2Gb容量NOR型閃存

　　相比NAND閃存早已進(jìn)入GB級別的，閃存的另一門類：NOR型閃存的容量還在MB級別徘徊。今年早些時候擺脫破產(chǎn)陰云的Spansion公司今天就宣布，其全球首款2Gb容量NOR型閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)。相比NAND閃存主要在數(shù)碼設(shè)備中充當(dāng)“硬盤”，容量小速度快的NOR型閃存則主要擔(dān)當(dāng)“內(nèi)存”的作用。Spansion就表示，新的GL-S NOR型閃存主要針對用戶界面從2D向3D化轉(zhuǎn)變的消費、娛樂設(shè)備對大容量NOR型閃存以及高速隨機(jī)讀取性能的要求。
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美光宣布推出車用高密度NOR閃存裝置

　　美光科技(Micron Technology, Inc. )今日宣布推出面向汽車應(yīng)用的高密度 Axcell? NOR 閃存裝置，強(qiáng)化其在汽車市場廣泛的產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的技術(shù)。該裝置采用最先進(jìn)的NOR 閃存工藝技術(shù)，為信息娛樂制造商、車內(nèi)電腦和其他汽車電子產(chǎn)品提供最高容量的存儲解決方案。　　
關(guān)鍵字：美光 NOR

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
關(guān)鍵字：設(shè)計管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
關(guān)鍵字：設(shè)計實現(xiàn) 算法管理 Flash NAND

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

　　因應(yīng)MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。　　
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飛索轉(zhuǎn)型求生存　鎖定嵌入式存儲器

　　NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后，積極進(jìn)行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整，除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外，也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NOR Flash領(lǐng)域，這部分一直是飛索最擅長同時也是成長性最高的一塊市場，包括工業(yè)領(lǐng)域、個人計算機(jī)(PC)等市場，未來內(nèi)嵌式NOR Flash產(chǎn)品的成長性相當(dāng)強(qiáng)勁。　　飛索表示，除了已耕耘20年的車用NOR Flash產(chǎn)品線外，飛索也會把大量資源放在內(nèi)嵌式產(chǎn)品上，這會是未
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基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計存儲嵌入式 FLASH 基于

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]