nor flash 文章最新資訊

飛索半導(dǎo)體宣布第一個4-Gb NOR flash產(chǎn)品

NOR閃存供應(yīng)商Spansion公司周二（8月9日）宣布，它所說的是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一單芯片，4千兆位（GB）NOR產(chǎn)品，在65納米節(jié)點上實現(xiàn)。
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基于TMS320DM642的Flash編程

基于TMS320DM642的Flash編程,本文首先介紹常見的Flash編程方法,然后詳細(xì)介紹本文方法的原理,以及DSP系統(tǒng)上電加載原理,最后給出整個實現(xiàn)過程并分析了Flash編程時需要注意的一些問題?！　lash編程方法　　常見的Flash編程方式　　Flash在正常使用
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM

本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
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基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計

　　在一些軍用芯片的早期設(shè)計中，一般先采用比較成熟的商用協(xié)議芯片進行軍用化改造(通常做成板卡形式)，而商用 ...
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C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究

C6000系列DSP Flash二次加載技術(shù)研究,引言
TI公司C6000系列DSP具有強大的處理能力，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。由于程序在DSP內(nèi)部存儲器的運行速度遠(yuǎn)大于片外存儲器的運行速度，通常需要將程序從外部加載到DSP內(nèi)部運行。由于C6000系列DSP均沒有
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三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

　　據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，2011年第1季NAND Flash市場上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來業(yè)界第1的地位。然而在快速成長的行動DRAM市場上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。
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基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

摘要基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在Altera QuartusⅡ7．0開發(fā)環(huán)境下，實現(xiàn)ECC校驗功能。測試結(jié)果表明，該程序可實現(xiàn)每256 Byte數(shù)據(jù)生成3 Byte的ECC校驗數(shù)據(jù)，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
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支持Flash的單板計算機嵌入式系統(tǒng)

支持Flash的單板計算機嵌入式系統(tǒng),1 引言　　在實際開發(fā)中，為了提高開發(fā)效率，大多是采用以一個與目標(biāo)板硬件相似的BSP為模板，并在此基礎(chǔ)上修改移植。在這個過程中.除了CPU以外，另一個重要的器件就是裝有啟動程序的Flash器件?！　? 系統(tǒng)介紹　　采
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一種基于AT25T1024 FLASH的高速SPI接口設(shè)計

摘要：從一種軍用板卡的實際需求出發(fā)，對SPI接口在設(shè)計中有諸如FPGA資源和管腳等限制的情況下，快速加栽配置數(shù)據(jù)的方法進行了分析。并基于ATMEL公司的AT25F1024 FLASH器件，描述了高速SPI接口的設(shè)計原理和方法，具有
關(guān)鍵字： T1024 FLASH 1024 25T

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計,引言
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設(shè)計出一個合理的、針對嵌入式應(yīng)用
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Spansion公司榮獲同洲電子“年度供應(yīng)商”殊榮

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布公司榮獲由機頂盒市場龍頭企業(yè)同洲電子（Coship）授予的“2010年度供應(yīng)商”獎項。2007年，Spansion公司獲得同洲電子最佳合作伙伴獎；2009年及2010年，Spansion公司成為獲得“年度供應(yīng)商”稱號的獨家閃存供應(yīng)商。這項殊榮授予Spansion公司體現(xiàn)了公司秉承為顧客提供創(chuàng)新產(chǎn)品和全球領(lǐng)先服務(wù)的宗旨。
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終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌

　　第2季NAND Flash終端需求太差，新出爐合約報價大跌超過10%，內(nèi)存模塊廠表示，合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達20%，合約價合計跌幅也超過15%，反映終端需求確實需要新刺激，目前市場是底部已臨，靜待反彈階段;展望第3季，市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào)，預(yù)期第3季仍會比第2季好一些，但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
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flash接口電路的實現(xiàn)

flash接口電路的實現(xiàn),0引言

　　我們在進行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計包含硬件系統(tǒng)設(shè)計和軟件系統(tǒng)設(shè)計兩個部分，并且這兩部分設(shè)計是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系
關(guān)鍵字：實現(xiàn) 電路接口 flash

嵌入NOR閃存穩(wěn)步增長

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，包括蘋果iPad等流行平板設(shè)備在內(nèi)的多種應(yīng)用，正在增加使用嵌入NOR閃存，該市場2011年預(yù)計增長8%，達到39.6億個?！　?/li>
關(guān)鍵字： NOR 平板電腦

基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計

摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
關(guān)鍵字： FLASH NAND 大容量存儲

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]