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nano nor flash 文章 最新資訊

NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，
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VIA發(fā)布Nano E系列64位嵌入式處理器

  • 在加州硅谷圣荷塞舉行的嵌入式系統(tǒng)大會ESC 2010上，VIA正式宣布推出Nano E系列處理器，為嵌入式市場帶來原生64位軟件支持、虛擬化能力和更長生命周期
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
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探秘DLP NIRscan Nano評估模塊

  • 　　作為工程師和開發(fā)人員，我們的工作就是找到一個將所有元件組合在一起的最佳方法。不管是對于摩天大樓、還是集成電路，內(nèi)部工程結(jié)構(gòu)都是決定是否能夠運轉(zhuǎn)良好的關(guān)鍵之一。但說回來，又有誰不曾幻想做個“破壞王”，把東西都拆開來一探究竟呢?我們最初的與工程設(shè)計有關(guān)的記憶大部分都來自小時候把看起來復(fù)雜——甚至是昂貴——的東西拆得七零八落。 　　既然如此，我們就打算看一看DLP NIRscan Nano評估模塊(EVM)的內(nèi)部構(gòu)造，我們將用老辦法&
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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

  • 　　據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
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全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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中國半導(dǎo)體存儲器市場前景

  • 本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  市場  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

  • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

  • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復(fù)速度很快，給當(dāng)?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點個贊。
  • 關(guān)鍵字： 三星  Flash  

下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

  • 　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應(yīng)。 　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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意法半導(dǎo)體（ST）推出新一代智能功率模塊，可進(jìn)一步減少低功率電機(jī)的耗散功率

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)進(jìn)一步擴(kuò)大智能功率模塊產(chǎn)品陣容，推出SLLIMMTM–nano新一代產(chǎn)品，新增更高功率和封裝選擇，特別適用于對提高能效和降低成本有需求的應(yīng)用。新一代SLLIMM-nano產(chǎn)品可滿足冰箱、洗衣機(jī)等家電的壓縮機(jī)、風(fēng)扇和電泵的電源要求，還適用于驅(qū)動200W以下電器的硬開關(guān)電路且工作頻率低于20 kHz的低功耗電機(jī)?！　LLIMM-nano模塊集成三個半橋高壓柵驅(qū)動器、六個IGBT晶體管和六個快
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

  • 　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。 　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。 　　   　　預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 　　拓墣
  • 關(guān)鍵字： Flash  晶圓  

TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

  • 　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。 　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
  • 關(guān)鍵字： Flash  NAND   

Flash芯片你都認(rèn)識嗎？

  • 　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點，給大家一個全新認(rèn)識?！　∫?、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
  • 關(guān)鍵字： Flash  EEPROM  
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