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美光：3D NAND產(chǎn)能總容量已高于2D　二代3D NAND將進入大批量產(chǎn)

  • 　　美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 　　科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產(chǎn)能的總容量已高于2D產(chǎn)品。 　　據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術，3D NA
  • 關鍵字： 美光  NAND  

東芝副社長：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”

  • 　　“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。 　　成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)

  • 　　今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 　　對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
  • 關鍵字： 美光  NAND  

?NAND缺口達顛峰　推升SSD價漲逾10%

  • 　　DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價格續(xù)創(chuàng)年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續(xù)至2017年第1季，屆時企業(yè)級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產(chǎn)品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。 　　今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。 　　DRAM
  • 關鍵字： ?NAND  SSD  

不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價產(chǎn)品

  • 　　三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 　　目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
  • 關鍵字： Intel  NAND  

三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠遠甩開

  • 　　三星憑藉著技術優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。 　　市調(diào)機構DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 　　同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。 　　剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
  • 關鍵字： 三星  NAND  

Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

  • 　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp;   　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù)，這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
  • 關鍵字： Flash  芯片  

[ARM筆記]驅動對設備的識別過程及實例——NAND Flash

  • 　　驅動程序識別設備時，有以下兩種方法：　　(1)驅動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅動程序時，就可以根據(jù)這些信息來識別設備。　　(2)驅動程序本身沒有設備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動程序時，將驅動程序與這些設備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動程序與某個設備匹配，就可以通過該驅動程序來操作這個設備了。　　內(nèi)核常使用第二種方法來識別設備，這可以將各種設備集中在一個文件中管理，當開發(fā)板的配置改變時，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
  • 關鍵字： NAND  驅動  

NAND Flash供不應求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
  • 關鍵字： NAND Flash  英特爾  

Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

  • 　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
  • 關鍵字： Flash  存儲器  

SSD價格2016年來首度大漲，明年第一季價格估將持續(xù)走升

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
  • 關鍵字： SSD  NAND   

GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動過程分析

  • 在理解bootloader后,花些時間重新學習了開源軟件的makefile和相關腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
  • 關鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動過  

中國存儲三大勢力成形 各自進擊

  • 　　早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關消息，現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 　　中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 　　合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
  • 關鍵字： 長江存儲  Flash   

大陸存儲器需求進展超預期 東芝經(jīng)營壓力暫時松口氣

  • 　　日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。 　　東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預期。 　　平田表示，在當今智能手機大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業(yè)者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標準規(guī)格存儲器約3美元，價格
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
  • 關鍵字： SK海力士  NAND   
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