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SSD價格還將要大降價：NAND供應(yīng)過剩

  • 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉(zhuǎn)，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進持續(xù)，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應(yīng)鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應(yīng)端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預(yù)估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應(yīng)鏈的說法，雖然仍
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兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問世

  • 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實現(xiàn)了進一步提升，為消費電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測設(shè)備等對電池壽命和緊湊型設(shè)計有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。 如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三

  • 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！　?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過190億顆，其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三。　　兆易創(chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長電池壽命?！　OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長21%至35億美元

  • Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。預(yù)計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進40納米制程。
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鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

  • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設(shè)備的存儲密度，據(jù)外媒報導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
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潛力無限的汽車存儲芯片

  • 　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動力?！　∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
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盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？

  • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長21%至35億美元

  • 據(jù)IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數(shù)據(jù)顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但NOR Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。機構(gòu)樂觀預(yù)計NOR Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。NOR Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達 91%。該機構(gòu)指出，去年華邦電NOR Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居
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兆易創(chuàng)新：MCU只是個“過渡故事”

  • A股市場向來熱衷炒作預(yù)期。投資者樂于為概念買單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計龍頭兆易創(chuàng)新(SH:603986)，就曾是一個被預(yù)期打滿的例子。2020年初，兆易創(chuàng)新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營收。過度估值的結(jié)果就是，當(dāng)抱團瓦解，兩年之內(nèi)兆易創(chuàng)新股價經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng)新剛到千億市值，到如今 來源：雪球當(dāng)下，作為A股閃存設(shè)計龍頭的兆易創(chuàng)新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng)新的新故事，看清
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2021全球NOR Flash市場：兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%，份額升至23.2%

  • 6月21日消息，半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)IC Insights發(fā)布的最新研究報告指出，2021年NOR Flash市場銷售額雖然僅占整個Flash市場的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長了33%，同時平均售價也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達到了29億元。根據(jù)IC Insights的預(yù)測， 2022年NOR Flash市場還將繼續(xù)增長 21%，使得總銷售金額達到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示，華邦電子、旺宏
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國際巨頭把控全球存儲市場，國內(nèi)企業(yè)如何破局

  • 根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對半導(dǎo)體存儲器進行劃分，半導(dǎo)體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類。我們熟知的RAM（隨機存取存儲器）屬于易失性存儲器，其中RAM又可分為DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）。而ROM（只讀存儲器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲器，即斷電之后存儲器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲設(shè)備。據(jù)IC Insights預(yù)測，2022年、2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1804億和2196億美元，市場成長空間廣闊。但在全球的存儲芯片領(lǐng)域，市
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汽車缺芯帶來確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動兆易創(chuàng)新活力

  • 作為國內(nèi) MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng)新將直接受益于 MCU 國產(chǎn)化，強化其領(lǐng)先地位，擴寬其成長潛力。全球汽車缺芯帶來公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來全新的創(chuàng)新方向，國產(chǎn)化擴寬公司的成長潛力。1. 確定性與創(chuàng)新性是公司估值擴張最有力的保障半導(dǎo)體行業(yè)庫存結(jié)構(gòu)性緊張帶來確定性的估值上漲。半導(dǎo)體存貨緊張引起供應(yīng)不足，帶來市場的高景氣。汽車電子市場需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續(xù)與消費電子等芯片市場產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車芯片產(chǎn)能釋放不及時，存貨市場將帶來公司估值確定性擴張。圍繞最具活力的創(chuàng)新性方向擴張其估值。創(chuàng)新
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中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

  • 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

  • 近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

  • 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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