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nand 閃存 文章 最新資訊

LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

  • 　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長?！　SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計(jì)用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個(gè)SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍。　　LSI?&nb
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英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求

  • 　　在今天開幕的英特爾信息技術(shù)峰會(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(SSD)的市場狀況、發(fā)展趨勢以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析?！　∪找嬖鲩L的固態(tài)盤市場需求　　從1987年至今，非易失性存儲器也早已從NOR時(shí)代切換到了NAND時(shí)代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時(shí)代進(jìn)入了TB時(shí)代?！笆紫?，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場需求方面，將保持高速成長的勢頭，”?
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  • 　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
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Spansion 與 ISSI 簽署授權(quán)協(xié)議

  • 　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商?Spansion?公司與先進(jìn)存儲與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專利組合，以開發(fā)與生產(chǎn)特殊閃存產(chǎn)品?！　SSI?閃存業(yè)務(wù)開發(fā)部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對于能夠與Spansion&n
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一種采用分離柵極閃存單元實(shí)現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測試結(jié)構(gòu)

  • 　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM?；贜VM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強(qiáng)功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時(shí)間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
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RL78代碼閃存自編程期間響應(yīng)外圍中斷的方法

  • 　　RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶代碼及數(shù)據(jù)的存儲。對于無內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲數(shù)據(jù)，通常是成本導(dǎo)向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
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瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝

  • 　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項(xiàng)應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產(chǎn)權(quán)(IP)?！　‖F(xiàn)代發(fā)動機(jī)油耗不斷降低，要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來的進(jìn)一步系統(tǒng)升級。高速實(shí)時(shí)處理，例如根據(jù)對多個(gè)傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動態(tài)切換將成為必備功能，車用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車臨時(shí)停車時(shí)關(guān)掉發(fā)
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2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

  • 　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。 　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

  • 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
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LSI加盟OCP并貢獻(xiàn)多款設(shè)計(jì)

  • LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻(xiàn)兩款存儲基礎(chǔ)架構(gòu)參考設(shè)計(jì)。
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Spansion與旺宏電子訴訟的真相

  • 很多人可能都很好奇：接下來Spansion與旺宏的訴訟之戰(zhàn)將何去何從。對于旺宏來說，訴訟帶來的公關(guān)效應(yīng)反倒比其索賠聲明更有實(shí)際影響。實(shí)際上，旺宏的主張對我們毫無威脅
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甲骨文新一代Exadata X4采用LSI 最新閃存技術(shù)

  • LSI公司 (NASDAQ: LSI)日前宣布LSI Nytro?閃存加速卡已被甲骨文選作PCIe?閃存加速技術(shù)，用于其新一代數(shù)據(jù)庫一體機(jī)Exadata X4系統(tǒng)中。此外，LSI與甲骨文通力協(xié)作，為Exadata客戶帶了一款最新LSI Nytro技術(shù)——Dynamic Logical Capacity (DLC)。
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布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

  • 　　存儲器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。 　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。 　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。 　　為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
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武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關(guān)鍵字： XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

  • 在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
  • 關(guān)鍵字： ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  
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nand 閃存介紹

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