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nand 閃存 文章 最新資訊

NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學蘋果加大智能機容量

  • 　　Investor.com 3日報導，花旗發(fā)表研究報告指出，三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量，這會提高市場對SanDisk產品的需求。 　　費城半導體指數成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。 　　根據報告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
  • 關鍵字： 花旗  三星  NAND Flash   

分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長，估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%，至276億美元。 　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是
  • 關鍵字： TrendForce  NAND Flash  SSD  

SSD價格快速下滑　普及化只剩時間問題

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)價格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術逐漸擴散，帶動儲存容量擴大，并加速SSD大眾化時代的來臨。 　　據ET News報導，SSD將形成半導體新市場，價格跌幅相當明顯。外電引用市調機構IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價格在2014年第3季時為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 　　南韓業(yè)界認為，目前價格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價格將降低至50美元以下。 　　南韓Woor
  • 關鍵字： 3D NAND  SSD  TLC  

2015年NAND Flash產業(yè)持續(xù)向上，產值成長超過10%

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產值將較2014年成長12%，達276億美元。DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是上半年
  • 關鍵字： NAND Flash  SSD  

三星半導體份額增長 與Intel差距史上最小

  • 　　韓聯社首爾11月30日電 市場調查機構HIS本月30日發(fā)布的一份調查報告顯示，預計今年三星電子半導體銷售額同比劇增15.6%，將達382.73億美元，其全球市場份額同比上升0.6個百分點，將達10.9%，穩(wěn)居全球第二。 　　同期，美國半導體巨頭因特爾的半導體銷售額同比增長6.3%，將達499.64億美元，雖然占據世界第一的位置，但其全球市場份額逐年下降，預計今年的市場份額同比下滑0.4個百分點，為14.2%。由此，三星電子和因特爾的市場份額相差僅為3.3個百分點，縮小至歷史最低值。 　　三星電子和
  • 關鍵字： 三星  Intel  NAND  

SSD 2年內價格砍半　每GB首度跌破0.5美元

  • 　　次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價格，2年內下滑一半。由于NAND Flash產能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑，SSD應用范圍逐漸擴大，有加速普及的傾向。 　　據韓聯社引用市調機構IHS資料報導，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價格226美元相比，跌幅更達45.1%，意即最近2年內SSD價格幾乎砍
  • 關鍵字： SSD  NAND Flash  

蘋果變心、東芝掉大單？愛瘋6 NAND傳改由三星提供

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)是蘋果 (Apple)在智慧手機市場上的死對頭，雙方更于之前在全球展開轟轟烈烈的專利侵權大戰(zhàn)、蘋果并祭出所謂的「去三星化」措施。惟隨著蘋果/三星同意中止在美國以外地區(qū)(包括澳洲、日本、南韓、德國、荷蘭、英國、法國、義大利)的官司互訟，也象征雙方將握手言和，蘋果將重回三星懷抱、擴大采用三星制零件? 　　日本蘋果情報網站iPhone Mania 27日報導，南韓媒體BusinessKorea 26日指出，目前蘋果iPhone 6除了已使用三星集團公司Sa
  • 關鍵字： 三星電子  蘋果  NAND  

我國集成電路產業(yè)上市公司大盤點（上）

  • 　　隨著《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》和千億國家集成電路產業(yè)投資基金的成立，集成電路產業(yè)熱度逼人，而我國集成電路產業(yè)近年來發(fā)展快速，涌現出一批具備一定國際競爭力的骨干企業(yè)，下面小編就為大家一一介紹，看看我國集成電路產業(yè)都有哪些上市企業(yè)。 　　太極實業(yè) 　　無錫市太極實業(yè)股份有限公司前身為無錫市合成纖維總廠，創(chuàng)立于1987年。通過幾年的發(fā)展，具有相當技術和經濟實力。在國內有一定知名度和發(fā)展前途的技術先進型企業(yè)。公司先后開發(fā)出花色差別化長絲、丙纖煙用過濾絲束、滌淪簾子線等三大主體產品。1991年被評為中
  • 關鍵字： 集成電路  NAND  SanDisk  

閃迪聯合創(chuàng)始人榮獲美國科技成就和創(chuàng)新最高榮譽

  • 　　全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今天公布閃迪聯合創(chuàng)始人、退休的董事長兼首席執(zhí)行官 Eli Harari 博士因其對閃存技術研發(fā)和普及的重大貢獻而被美國國家科學基金會授予國家技術與創(chuàng)新獎章。 　　美國國家技術與創(chuàng)新獎章代表了推進科學與技術進步的美國國家最高榮譽，獲獎者對加深人類對世界的認識和改善人類的生活作出了不可磨滅的貢獻。在美國國家政要和其他獲獎者的見證下，美國總統奧巴馬于11月20日在白宮舉辦的典禮上授予EliHarari博士該項獎章。 　　25年前，Harari博士與合伙人共同創(chuàng)立了
  • 關鍵字： 閃迪  NAND  

臺內存大廠揮軍日本　直闖工控和車用市場

  • 　　征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內存大廠，終于在日本找到了機會。
  • 關鍵字： 內存  NAND Flash  

閃存存儲技術迅速走向成熟

  • 　　閃存技術在中國這幾年已經獲得突飛猛進的發(fā)展，正在迅速走向成熟，之前阻礙閃存普及的價格門檻，正在逐步降低，未來閃存的可靠性會和價格一齊下降，但我們能夠通過系統軟件來更好地實現閃存的利用價值?！　artner 大中華區(qū)數據中心架構與管理首席分析師張瑾　　2013年的中國閃存市場　　Gartner 大中華區(qū)數據中心架構與管理首席分析師張瑾首先用數字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年，首先閃存顆粒，Gartner的研究表明，每GB的價格成本下降41%，這是一個非常大的下降的
  • 關鍵字： 閃存  

數據經濟時代 閃存能否成棟梁

  • 　　隨著互聯網、云計算、移動終端和物聯網的迅猛發(fā)展，全球數據量每兩年翻倍的速度增長，人們選用的存儲介質也發(fā)生了較大的變化，到2020年全球數據總量將達到44ZB。如此高速增長的數據，采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁?      俗話說：以史為鑒，可以知興替?；仡欉^往，存儲行業(yè)從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式，磁帶存儲沒有消亡，但磁盤占了主流。當前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式，未來磁盤存儲不會消亡，但閃存勢必會占據
  • 關鍵字： 閃存  

PMC FlashTec NVRAM：抓住閃存細分市場需求

  • 當前，基于閃存的創(chuàng)新已經成為數據中心領域最大的熱點，市場上已經涌現出五花八門的閃存產品。大家公認閃存對于數據中心應用的加速效果十分明顯，無論是服務器內部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經在數據中心領域得到驗證，尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降，閃存在數據中心領域的應用趨勢必然加快。同時，隨著云計算、大數據、社交網絡、移動化四大趨勢的來臨，超大型數據中心用戶對于加速的需求更進一步，傳統的閃存產品已經不能較好滿足超大型數據中心用戶某些關鍵性應用需求，超高性能的閃存產品成為這些超大型數據中
  • 關鍵字： Sandisk  閃存  

干掉閃存 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。　　MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點?！　DK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
  • 關鍵字： TDK  閃存  

六大NAND Flash廠商：東芝最“吸金”

  • 　　2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因為它最漲勢最猛。
  • 關鍵字： NAND Flash  東芝  三星  
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nand 閃存介紹

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