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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場(chǎng)

  • 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì)在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺(tái)商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
  • 關(guān)鍵字： ASML  NA  EUV  光刻設(shè)備  

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實(shí)現(xiàn)納安級(jí)消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場(chǎng)發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過(guò)電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS，頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因?yàn)镃1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
  • 關(guān)鍵字： 100  0.1  KHZ  NA    

尼康NA超過(guò)1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開(kāi)口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。  　　這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒(méi)有公布，估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
  • 關(guān)鍵字： NA  尼康  嵌入式系統(tǒng)  
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