mos—fet 文章進(jìn)入mos—fet技術(shù)社區(qū)

對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開(kāi)關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無(wú)刷電流意味著全球電動(dòng)工具FET總區(qū)域市場(chǎng)增長(zhǎng)了3到6倍（見(jiàn)圖1）。圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無(wú)刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
關(guān)鍵字： FET BLDC

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單......
關(guān)鍵字： MOS MOSFET

看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

　　每年十二月，在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇，在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET

發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進(jìn)行入門學(xué)習(xí)時(shí)經(jīng)常會(huì)選擇發(fā)光二極管來(lái)入手。本文將對(duì)發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
關(guān)鍵字：發(fā)光二極管 MOS 電流

同步整流器與開(kāi)關(guān)MOS在功率電源的耗散

在大功率電源當(dāng)中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
關(guān)鍵字：同步整流器 MOS 功率

集成智能——第1部分：EMI管理

　　智能集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動(dòng)汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?！　D1所示為集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切要素，如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過(guò)長(zhǎng)，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)?！　LDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢(shì)包括效率、緊湊的尺寸、更長(zhǎng)的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能?！　D1：智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器　　集成智能系列博
關(guān)鍵字： BLDC FET

具有低輸入偏置電流和高交流共模抑制性能的高速FET輸入儀表放大器

關(guān)鍵字： ADI FET 儀表放大器

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
關(guān)鍵字： FET 雙極性晶體管緩沖電路寬帶

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行；從輸出到輸入。幸運(yùn)的是，有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識(shí)和了解。
關(guān)鍵字： FET TPS22963 德州儀器反向電流

揭開(kāi)電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

揭開(kāi)電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車、無(wú)線揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái)，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動(dòng)汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
關(guān)鍵字：電池管理系統(tǒng) FET FET驅(qū)動(dòng)器

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
關(guān)鍵字： mos

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
關(guān)鍵字： MOS 電源

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字： MOS FinFET

拯救EMI輻射超標(biāo)，開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
關(guān)鍵字： EMI 開(kāi)關(guān)電源 MOS

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

如同摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知，這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) 天線天線效應(yīng) 充電損害 MOS