- 市場研究機構近期將2011年全球高亮度LED產(chǎn)值預估由2011年初106億美元下修至90億美元(年增率僅8%)。不過...
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LED 國產(chǎn)化 MOCVD
- 針對MOCVD產(chǎn)能過剩對LED產(chǎn)業(yè)供需形成壓力，全球MOCVD設備商Aixtron(愛思強)大中華區(qū)副總裁Christian Geng指出，雖然近來LED市場出現(xiàn)了像中國大陸政府補貼政策造成的產(chǎn)能過剩疑慮、LED電視滲透率低于預期等現(xiàn)象。但仍對LED市場的未來發(fā)展持正面看法。
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Aixtron LED MOCVD
- 繼上海培訓中心之后，日前，有機金屬化學氣相沉積機臺(MOCVD)設備大廠Veeco Instruments宣布，將在臺灣新竹科學園區(qū)成立“臺灣技術中心”(Taiwan Technology Center;TTC)，并訂于8月31日舉行開幕典禮。
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Veeco LED MOCVD
- 由于新應用范圍激發(fā)的驅(qū)動，LED技術快速地進步。用于筆記本電腦、桌上型電腦顯示器和大屏幕電視的背光裝...
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高亮度 LED MOCVD
- 近期頻傳LED芯片企業(yè)虧損的消息，主要是由于各企業(yè)的人才和技術存在一定的問題，由此引發(fā)LED市場各企業(yè)間開始互挖墻腳，各大廠商對MOCVD調(diào)試搶市場都開始躍躍欲試。目前鹿死誰手還不能定論，但是根據(jù)現(xiàn)在的局勢來看MOCVD調(diào)試這一項目引起LED市場的大混亂是在所難免了。
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MOCVD LED
- 在多地政府效仿?lián)P州以現(xiàn)金補貼方式鼓勵LED投資的背景下，以MOCVD為代表的超需求設備投資，加大了人們對LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生泡沫的擔憂。業(yè)界已有預期，今年下半年會呈現(xiàn)供過于求的市場格局，但眾多LED廠商會采取較為保守的觀望態(tài)度嗎?
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LED MOCVD
- 由于新應用范圍激發(fā)的驅(qū)動,LED技術快速地進步。用于筆記本電腦、桌上型電腦顯示器和大屏幕電視的背光裝置...
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高亮度LED MOCVD 進展
- 高亮LED在朝高質(zhì)量低成本的大規(guī)模量產(chǎn)過程中遇到了一些技術性的挑戰(zhàn)，這為突破性的方案創(chuàng)造了良好的機會，特別...
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LED背光市場 高亮LED 藍光LED MOCVD
- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 2011年以來中國消費者物價指數(shù)不斷創(chuàng)下新高點，5月份通貨膨脹率為5.5%，中國人民銀行藉緊縮銀根政策希望控制通貨膨脹率。自6月20日止，中國人民銀行已經(jīng)6次上調(diào)存款準備率，使得中國內(nèi)地大中型金融機構存款準備金率達到了21.5%的歷史新高，放款基準利息也從7月7日起調(diào)升至6.56%，為今年度第三次升息。
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LED MOCVD
- AIXTRON SE最新推出世界上最大容量的MOCVD反應器——CRIUS II-L MOCVD反應器，將MOCVD反應器的容量、生產(chǎn)能力和LED生產(chǎn)成本都提升到新的高度，具有生產(chǎn)16x4英寸或69x2英寸晶圓的能力。
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AIXTRON MOCVD
- 近日，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所與德國AIXTRON SE簽訂了“MOCVD培訓中心”共建合作協(xié)議。蘇州納米所所長楊輝與德國AIXTRON SE首席財務官Wolfgang Breme進行了簽約。雙方將發(fā)揮各自優(yōu)勢，培訓高端產(chǎn)業(yè)人才，為長三角地區(qū)以及全國的光電、光伏等產(chǎn)業(yè)提供穩(wěn)定的人才支持。
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AIXTRON MOCVD
- 市場研究機構Displaybank 的最新報告指出，中國LED市場正呈現(xiàn)不尋常的成長，當?shù)貜S商不斷提高 LED 產(chǎn)業(yè)投資的投資規(guī)模，可望在2012年成為MOCVD 設備累計裝置量全球第一大國。
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MOCVD LED
- 臺廠璨圓光電考慮大陸已成為LED TV布局重點區(qū)域，且未來將可就近供應LGD、瑞軒、東貝等芯片需求，因此，璨圓持續(xù)為轉(zhuǎn)投資公司江蘇璨揚光電增購MOCVD等相關設備，以持續(xù)提升產(chǎn)能及增加競爭力。
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璨圓 MOCVD
mocvd介紹
MOCVD
MOCVD是金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體 [
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