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mlc-m 文章進(jìn)入mlc-m技術(shù)社區(qū)

三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補(bǔ)這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地

意法半導(dǎo)體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò)的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導(dǎo)體智能 MEMS 傳感器的機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核 (MLC)上開發(fā)節(jié)點到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項目以及相關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置。MLC機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核是 ST MEMS 產(chǎn)品組合的專屬功能，能夠讓傳感器直接運(yùn)行決策樹學(xué)習(xí)模型。MLC 能夠自主運(yùn)行，無需主機(jī)系統(tǒng)參與，低延遲，低功耗，高效處理需要 AI 功能的任務(wù)，例如，分類和模式檢測。ST AIoT Craft 還集成了利用 MLC在傳感器內(nèi)實現(xiàn)AI的物聯(lián)網(wǎng)項目開發(fā)配置所需的全部步驟
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 ST AIoT Craft MLC 智能傳感器

凌華科技全新多功能一體式醫(yī)療平板電腦，賦能醫(yī)療可視化

凌華科技發(fā)布基于第 11 代Intel? Core? 處理器的 MLC-M 醫(yī)療平板電腦，全新的多功能一體式醫(yī)療平板電腦 MLC-M，提供卓越的性能和多任務(wù)處理能力，可以輕松運(yùn)行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等文檔應(yīng)用程序。MLC-M 既輕又薄，且功能強(qiáng)大，非常適合在應(yīng)用于醫(yī)療推車或護(hù)理站等移動型應(yīng)用場景。第 11 代Intel? Core? 處理器提供了強(qiáng)大的計算性能，可以輕松運(yùn)行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等
關(guān)鍵字：醫(yī)療平板電腦凌華科技醫(yī)療電子 MLC-M

機(jī)器學(xué)習(xí)模型設(shè)計過程和MEMS MLC

開發(fā)機(jī)器學(xué)習(xí)項目的五個步驟 — 掌握要點，應(yīng)用并不困難！邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)具有許多優(yōu)勢。然而，由于開發(fā)方法與標(biāo)準(zhǔn)程序設(shè)計方法截然不同，許多機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)者可能會擔(dān)心自己難以駕馭。其實，完全沒有必要擔(dān)心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機(jī)器學(xué)習(xí)項目的要點，就能夠開發(fā)具有價值的機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。此外，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進(jìn)邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)得到廣泛應(yīng)用發(fā)揮全部潛力。本文描述機(jī)器學(xué)習(xí)項目的必要開發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內(nèi)嵌機(jī)器學(xué)習(xí)核心（MLC）的優(yōu)勢。圖一
關(guān)鍵字：機(jī)器學(xué)習(xí) 模型設(shè)計 MEMS MLC

意法半導(dǎo)體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用增添機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核的能效優(yōu)勢

近日，意法半導(dǎo)體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動作檢測機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核(MLC)技術(shù)的優(yōu)勢擴(kuò)大到工業(yè)和高端消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域。機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核(MLC)技術(shù)對動作數(shù)據(jù)執(zhí)行基本的AI預(yù)處理任務(wù)所用功耗，約為典型微控制器(MCU)完成相同任務(wù)所用功耗的千分之一。因此，集成這一IP技術(shù)的IMU傳感器可以減輕主MCU的處理負(fù)荷，延長情景感知和體感設(shè)備的電池續(xù)航時間，降低維護(hù)檢修成本，縮減產(chǎn)品體積和重量。繼去年推出首個MLC增強(qiáng)型商用
關(guān)鍵字： IMU MLC

一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊：X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)
關(guān)鍵字： SLC MLC TLC 區(qū)別

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
關(guān)鍵字： SLC MLC TLC 閃存

東芝攜強(qiáng)大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展

　　　　日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強(qiáng)勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會同期舉辦新聞發(fā)布會，推出促進(jìn)人類智慧生活的四大應(yīng)用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會。
關(guān)鍵字：東芝慕尼黑上海電子展閃存 MLC MMC SLC BENAND

東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢

　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%?！　|芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
關(guān)鍵字：東芝閃存 MLC MMC SLC BENAND

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構(gòu)，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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電源設(shè)計小貼士:MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得 ...
關(guān)鍵字：電源 MLC 電容器

MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得...
關(guān)鍵字： MLC 電源設(shè)計電容器

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
關(guān)鍵字：表象技術(shù) 細(xì)節(jié) 閃存 NAND 16Gb MLC 解密

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置閘極的電荷加電壓，
關(guān)鍵字： Flash NAND MLC SLC

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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

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凌華科技全新多功能一體式醫(yī)療平板電腦，賦能醫(yī)療可視化

機(jī)器學(xué)習(xí)模型設(shè)計過程和MEMS MLC

意法半導(dǎo)體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用增添機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核的能效優(yōu)勢

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