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DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

  • 在開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
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高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)

  • 　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 　　下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
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恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國公司

  • 　　半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 　　標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015年財(cái)年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。 　　出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
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【E問E答】MOS管為什么會被靜電擊穿？

  • 　　MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！　§o電放電形成
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一種簡單的防短路的保護(hù)方法

  • 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對負(fù)載供電，滿負(fù)載時基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負(fù)載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
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場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管;絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱MOS場效應(yīng)管.　　1、如何防止絕緣柵型場效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應(yīng)出來的
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深度分析MOS場效應(yīng)管在消費(fèi)類電子中的電路設(shè)計(jì)

  • 　　當(dāng)我們還是學(xué)生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點(diǎn)學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計(jì)算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實(shí)戰(zhàn)的角度進(jìn)行MOS場效應(yīng)管的分析?！　∈紫任覀儊砜聪陆?jīng)常使用的增強(qiáng)型mos場效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應(yīng)管?！　≡谙M(fèi)類電子設(shè)計(jì)中由于對功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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怎樣正確使用MOS 集成電路

  • 　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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到底什么是fmax講解

  • 　　簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。 　　這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實(shí)離得不遠(yuǎn)，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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iPad Mini 4拆解：確認(rèn)2GB內(nèi)存+更小容量電池

  • 　　國外知名維修網(wǎng)站iFixit今天對iPad Mini 4進(jìn)行了拆解，確認(rèn)該平板比前代裝備了更小的電池容量。正如此前科技評測網(wǎng)站Ars Technica對其進(jìn)行的GeekBench 3測試結(jié)果，通過物理拆解確認(rèn)iPad Mini 4裝備2GB的內(nèi)存和時鐘頻率為1.5GHz的 A8處理器，這意味著該平板要比iPhone 6s/6s Plus(1.4GHz的A8處理器)性能更卓越，要比前代iPad mini 2/3所搭載的1.3GHz A7處理器有著明顯的性能提升。 　　   　　iFi
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一種簡單的防短路保護(hù)方法

  • 　　簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對負(fù)載供電，滿負(fù)載時基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。 　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
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低待機(jī)功耗電源方案選擇

  • 　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 　　2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機(jī)模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計(jì)要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計(jì)管理委員會批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達(dá)到第一階段的要求，2013年1月6日達(dá)到第二階段要求。 　　   　　圖1 Eup圖標(biāo) 　　我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 　　1、產(chǎn)品在關(guān)機(jī)或待機(jī)
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全球最小Mini PC探究，詳盡拆解“光棍一號T02”

  • 　　去年光棍節(jié)，全球最小的Mini PC“光棍一號”橫空而出，絕佳的創(chuàng)意、強(qiáng)悍的性能再加上迷你的尺寸，讓這款產(chǎn)品在登錄京東眾籌之后獲得了巨大成功。早幾天，該產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)帶來了光棍一號第二代“光棍一號T02”再度來襲，據(jù)設(shè)計(jì)方MeegoPad團(tuán)隊(duì)透露，該產(chǎn)品從性能、散熱、接口方面都做了巨大升級。我們拿到了一個樣機(jī)，重度拆解，透視其真相。 　　在拆解之前，我們先了解一下T02的具體參數(shù)： 　　   　　下面是我們收到的產(chǎn)品包裝盒外觀： 　　
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怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率？

  • 　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 　　【問題分析】 　　   　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會把驅(qū)動的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
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Mini USB接口定義的秘密

  • 　　導(dǎo)讀：想必大家對USB都不陌生吧，那么Mini USB是什么呢?Mini USB的接口又是什么樣的呢?本文將會為您解答~~ 一、Mini USB接口定義- -簡介 　　USB(Universal Serial Bus)，譯為通用串行總線，用于電腦與數(shù)碼設(shè)備間的數(shù)據(jù)傳輸?？紤]到體積因素，USB設(shè)計(jì)了數(shù)種接口，目前廣泛使用的有三種，即標(biāo)準(zhǔn)USB、Mini USB和Micro USB。本文將為您詳細(xì)介紹Mini USB接口。 　　Mini USB，即迷你USB，是一種USB接口標(biāo)準(zhǔn)，與USB的功能和技
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