ldmos 文章 最新資訊
恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率
- 恩智浦推出BLC7G22L(S)-130基站功率晶體管,這是恩智浦應用其業(yè)界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術的首款產(chǎn)品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案,與上一代產(chǎn)品相比,功率密度提高了20%,功率效率增長了兩個百分點,而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。 恩智浦R
- 關鍵字: 恩智浦 LDMOS 基站 功率晶體管
飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管
- 飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率,具有同類設備最高的排放效率和功率增益。 這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療(ISM)市場提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V,與雙極和MOSFET 設備相比,它具有明顯的優(yōu)勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
- 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 飛思卡爾 LDMOS 晶體管 嵌入式
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